光伏电池板公司-运城光伏电池板-振鑫焱光伏科技

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：---回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，el，---测试，二手，旧，工程，拆卸，运城光伏电池板，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，---偿还，返工，光伏模块回收等。

刻蚀工艺

刻蚀目的

将硅片边缘的带有的磷去除干净，避免 pn 结短路造成并联电阻降低。

刻蚀原理

采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应， 采用高频辉光放电反应，使反应气体---成活性粒子，如原子或各种游离基，这些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应，形成挥发性生成物四---硅而被去除。

化学公式： cf 4 +sio 2 =sif 4 +co 2

工艺流程

预抽，主抽，送气，辉光，抽空，清洗，预抽，主抽   ，充气。

影响因素

1. 射频功率

射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区（耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加。

射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。

2. 时间

刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合。

刻蚀时间过短：刻蚀不充分，没有把边缘鳞去干净， pn 结依然有可能短路造成并联电阻降低。

4.   压力

压力越大，气体含量越少，参与反应的气体也越多，刻蚀也越充份。

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：---回收硅片，回收滞销光伏电池板，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，el，---测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，---偿还，返工，光伏模块回收等。

影响因素

1. 温度

温度 t 越高，扩散系数 d 越大，扩散速度越快。

2. 时间

对于恒定源：时间 t 越长结深越深，但表面浓度不变。

对于限定源：时间 t 越长结深越深，表面浓度越小。

3. 浓度

决定浓度是因素：氮气流量、源温。

表面浓度越大，扩散速度越快。

4. 第三组元

主要是掺硼量对扩散的影响，杂质增强扩散机制。在二元合金中加入第三元素时，扩散系数也会发生变化。掺硼量越大，扩散速率越快。即电阻率越小，越容易扩散。

控制点

方块电阻，外观，单片均匀性，整管均匀性。

方块电阻： 表面为正方形的半导体薄层在电流方向所呈现的电阻。 r= 电阻率 *l/s， 对方块硅片，长度等于宽度，则 r= 电阻率 / 厚度，方块电阻～ ( １／ ns*xj) ns ：电化学浓度， xj ：扩散结深。