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刻蚀原理

硅的湿法刻蚀是指利用含有腐蚀剂的溶液对硅进行腐蚀 ， 可分为各向同性腐蚀技术和各向---腐蚀技术。各向同性腐蚀是指各个晶向上的腐蚀速率相同 ，晶体硅报废组件回收， 衬底和表面取向的不同对腐蚀速率的影响不大。 各向---腐蚀是指硅的不同晶面在某些特定的腐蚀液中被刻蚀的速率不同 ， 导致各个晶向的腐蚀速率不同。在输出功率上，主要以310或370wp两类为主，而在转化率上，大多数都在18。现出结构边缘平滑的现象。各向同性腐蚀液常用 hf、 hn o 3 和 h2o(ch3cooh) ， 用这些腐蚀液很难实现选择性腐蚀 ， 并且很难能找到能够长时间承受腐蚀的材料。 各向---腐蚀液包括无机腐蚀剂和有机腐蚀剂两种 ， 其中无机腐蚀剂为 nh4oh、 koh 和 naoh 等碱性溶液 ， 有机腐蚀剂为 tmah 、epw( ---二酚、乙二胺、水 ) 和联胺。

通常情况下选用 koh、 ( ch3) 2choh ( ---醇也叫 ipa) [ 8] 和水作为各向---腐蚀液 ，则根据硅在腐蚀液中的腐蚀机制可表示如下：

koh+ h3o= k++2oh- +h +

si+ 2oh -+ 4h 2o=si( oh)62-

si( oh) 6 2- + 6( ch 3) 2ch oh= [ si( oc3h7 ) ] 62- + 6h 2o

然后，库尔勒报废组件，络合产物与---醇作用生成可溶解。

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