延安光伏板-振鑫焱硅业-回收客退太阳能光伏板

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    2020-8-2

孟先生
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电池片的制作工艺

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:---回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,el,---测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,延安光伏板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,---回收太阳能光伏板,单晶硅,实验板,---偿还,返工,光伏模块回收等。

影响因素

1. 温度

温度过高,首先就是 ipa不好控制,温度一高, ipa 的挥发很快,气泡印就会随之出现,这样就---减少了 pn 结的有效面积,反应加剧 , 还会出现片子的漂浮,造成碎片率的增加。

可控程度:调节机器的设置,可以---的调节温度。

2. 时间

金字塔随时间的变化:金字塔逐渐冒出来;表面上基本被小金字塔覆盖,少数开始成长;金字塔密布的绒面已经形成,只是大小不均匀,反射率也降到比较低的情况;金字塔向外扩张兼并,体积逐渐膨胀,尺寸趋于均等,反射率略有下降。可控程度:调节设备参数,可以调节时间。

3.ipa

1. 协助氢气的释放。 2. 减弱 naoh 溶液对硅片的腐蚀力度,调节各向因子。纯 naoh 溶液在高温下对原子排列比较稀疏的 100 晶面和比较致密的 111 晶面破坏比较大,各个晶面被腐蚀而消融, ipa 明显减弱 naoh 的腐蚀强度,增加了腐蚀的各向---,有利于金字塔的成形。---含量过高,碱溶液对硅溶液腐蚀能力变得很弱,层压件太阳能光伏板回收,各向---因子又趋于 1 。

可控程度:根据配液的含量,及每次大约消耗的量,来补充一定量的液体,控制精度不高。

4.naoh

形成金字塔绒面。 naoh浓度越高,金字塔体积越小,反应初期,金字塔成核密度近似不受 naoh 浓度影响,碱溶液的腐蚀性随 naoh 浓度变化比较---,浓度高的 naoh 溶液与硅反映的速度加快,再反应一段时间后,金字塔体积。 naoh 浓度超过一定界---,各向---因子变小,绒面会越来越差,类似于抛光。可控程度:与 ipa 类似,控制精度不高。







电池片的检验

电池片的检验

一十三、印刷图型 

主栅线: 

---:主栅线容许有轻度断开、缺少、歪曲、突显,断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的5%,歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm,不容许有掉色状况(烧糊、变黄) 

新的规范:主栅大小匀称,不容许有断开,缺少、歪曲及其突显。 

b级:断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的10%,歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm,不容许有掉色状况(烧糊、变黄) 

新的规范:主栅大小匀称,容许有断开,缺少总面积不超出主栅线总面积的5%,歪曲突显不超出一切正常部位的0.2mm,不容许有掉色状况(烧糊、变黄) 

c级:断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的20%,歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm,不容许有掉色状况 

新的规范:主栅线:断开,缺少总面积不超出主栅线总面积的20%,歪曲、突显不超出一切正常部位的0.5mm, 

副栅线: 

---:副栅线容许大小不匀称,存有总宽超过0.13mm,低于18mm的副栅线,段栅线≤6条,断开间距≤2mm,容许有轻度虚印、缺印,总面积低于电级占地面积的5%.

新的规范:副栅线清楚,容许有两根栅线存有断开,断掉总数≤3条,断掉间距≤0.5mm;不容许有一切虚印、粗点;不容许有掉色状况。 

b级:容许大小不匀称,存有总宽≤0.25mm的副栅线,段栅线≤10条,断开间距≤2mm,容许有轻度虚印、缺印,总面积低于电级占地面积的10%. 






振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:---回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,el,---测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,回收客退太阳能光伏板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,---偿还,返工,光伏模块回收等。

扩散工艺

扩散目的

在来料硅片 p 型硅片的基础上扩散一层 n 型磷源,形成 pn 结。

扩散原理

pocl 3 在高温下 ( >; 600 ℃ ) 分解生成五--- ( pcl 5 ) 和五氧化二磷 ( p 2 o 5 ), 其反应式如下 :

5pocl 3=3pcl 5 +p 2 o 5

生成的 p 2 o 5 在扩散温度下与硅反应 , 生成二氧化硅 ( sio 2 ) 和磷原子 , 其反应式如下 :

2p 2 o 5+ 5si = 5sio 2  + 4ppocl 3

热分解时,如果没有外来的氧( o 2 )参与其分解是不充分的,生成的 pcl5 是不易分解的,并且对硅有腐蚀作用,破坏硅片的表面状态。但在有外来 o2 存在的情况下, pcl 5 会进一步分解成 p2o 5 并放出---( cl 2 )其反应式如下:  

4pcl 5 +5o 2=2p 2 o 5 +10cl 2

生成的 p 2 o 5 又进一步与硅作用,生成 sio 2 和磷原子,由此可见,在磷扩散时,为了促使 pocl3 充分的分解和避免 pcl 5 对硅片表面的腐蚀作用,必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。就这样 pocl 3 分解产生的 p 2 o 5 淀积在硅片表面, p 2o 5 与硅反应生成 sio 2 和磷原子,并在硅片表面形成一层磷 - 硅玻璃,然后磷原子再向硅中进行扩散。





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