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硅基片表面的---化处理

    取出 氨化烧杯（ --- ）， 先用无水---清洗 2 次， 然后倒入 20ml 无水---，将步骤（ 2）反应后的获得的---化硅片转移到氨化烧杯中，用无水---清洗 3 次。清洗时同步骤（２） ，使硅片处于---环境中；清洗完成后倒掉---，迅速加入 3-------三乙------（ aptes）和无水---的混合液（体积比为 1： 15），或者先加 15ml 无水---，然后用移液管加 1mlaptes，摇床上振摇反应 2 h。广州证券---分析师姚玮表示，---需求的---将拉动---的出货量。该反应结束后可以使硅片表面---化。

刻蚀原理

硅的湿法刻蚀是指利用含有腐蚀剂的溶液对硅进行腐蚀 ， 可分为各向同性腐蚀技术和各向---腐蚀技术。各向同性腐蚀是指各个晶向上的腐蚀速率相同 ， 衬底和表面取向的不同对腐蚀速率的影响不大。 各向---腐蚀是指硅的不同晶面在某些特定的腐蚀液中被刻蚀的速率不同 ， 导致各个晶向的腐蚀速率不同。一座5kw的光伏电站一年能产生5400~9100度左右的电力。现出结构边缘平滑的现象。各向同性腐蚀液常用 hf、 hn o 3 和 h2o(ch3cooh) ， 用这些腐蚀液很难实现选择性腐蚀 ， 并且很难能找到能够长时间承受腐蚀的材料。 各向---腐蚀液包括无机腐蚀剂和有机腐蚀剂两种 ， 其中无机腐蚀剂为 nh4oh、 koh 和 naoh 等碱性溶液 ， 有机腐蚀剂为 tmah 、epw( ---二酚、乙二胺、水 ) 和联胺。

通常情况下选用 koh、 ( ch3) 2choh ( ---醇也叫 ipa) [ 8] 和水作为各向---腐蚀液 ，则根据硅在腐蚀液中的腐蚀机制可表示如下：

koh+ h3o= k++2oh- +h +

si+ 2oh -+ 4h 2o=si( oh)62-

si( oh) 6 2- + 6( ch 3) 2ch oh= [ si( oc3h7 ) ] 62- + 6h 2o

然后，络合产物与---醇作用生成可溶解。