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单晶硅片
当今开发设计得更快的这种太阳电池,它的组成和生产工艺流程已定形,商品已普遍用以宇宙空间和路面设备。这类太阳电池以高纯度的单晶硅棒为原材料,纯净度规定99.999%。以便降低成本成本费,如今路面运用的太阳电池等选用太阳能发电级的单晶硅棒,原材料性能参数有一定的放开。有的也可应用集成电路工艺生产加工的头尾料和废次单晶硅原材料,历经复拉做成太阳电池---型的单晶硅棒。将单晶硅棒切一片,通常片厚约0.3mm。硅片历经成型、研磨抛光、清理等工艺流程,做成待生产加工的原材料硅片。生产加工太阳电池片,先要在硅片上夹杂和外扩散,通常夹杂物为微量分析的硼、磷、锑等。外扩散是在石英管做成的高溫扩散炉中开展。那样就在硅片上产生p/ftt>;n 结。然后采用丝网印刷法,将配好的银浆印在硅片上做成栅线,经过烧结,同时制成背电极,并在有栅线的面涂覆减反射源,以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉,至此,单晶硅太阳电池的单体片就制成了。单体片经过抽查检验,即可按所需要的规格组装成太阳电池组件(太阳电池板),用串联和并联的方法构成一定的输出电压和电流,后用框架和封装材料进行封装。用户根据系统设计,可将太阳电池组件组成各种大小不同的太阳电池方阵,亦称太阳电池阵列。目前单晶硅太阳电池的光电转换效率为 15% 左右,实验室成果也有 20% 以上的。用于宇宙空间站的还有--- 50% 以上的太阳能电池板。
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电池片各工艺流程危害要素及异常现象
一回清理危害要素
1.溫度
溫度过高,先就是说ipa不太好---,溫度一高,ipa的蒸发迅速,汽泡印就会随着出---,那样就---减少了pn结的合理总面积,反映加重,还会出---影片的飘浮,导致残片率的提升。可控性水平:调整设备的设定,能够---的调整溫度。
2.時间金字塔式随時间的转变:金字塔式慢慢冒出;表层上基础被小金字塔式遮盖,少数刚开始成才;金字塔式满布的绒面早已产生,仅仅尺寸不匀称,透射率也降至较为低的状况;金字塔式向外扩大企业兼并,容积慢慢澎涨,规格趋向平等,透射率略微降低。可控性水平:调整机器设备主要参数,能够---的调整時间。
3.ipa1.帮助氡气的释放出来。2.变弱naoh水溶液对硅片的浸蚀幅度,调整各向系数。纯naoh水溶液在高溫下对分子排序较为---的100晶面和较为高密度的111晶面毁坏较为大,每个晶面被浸蚀而消溶,ipa---变弱naoh的浸蚀抗压强度,提升了浸蚀的各向---,有益于金字塔式的成型。酒精含水量过高,碱水溶液对硅水溶液浸蚀工作能力越来越太弱,各向---系数又趋向3。可控性水平:依据初次配液的含水量,及每一次大概耗费的量,来填补足量的液---,线性度不高。
振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:---回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,el,---测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,---偿还,返工,光伏模块回收等。
扩散工艺
扩散目的
在来料硅片 p 型硅片的基础上扩散一层 n 型磷源,形成 pn 结。
扩散原理
pocl 3 在高温下 ( >; 600 ℃ ) 分解生成五--- ( pcl 5 ) 和五氧化二磷 ( p 2 o 5 ), 其反应式如下 :
5pocl 3=3pcl 5 +p 2 o 5
生成的 p 2 o 5 在扩散温度下与硅反应 , 生成二氧化硅 ( sio 2 ) 和磷原子 , 其反应式如下 :
2p 2 o 5+ 5si = 5sio 2 + 4ppocl 3
热分解时,如果没有外来的氧( o 2 )参与其分解是不充分的,生成的 pcl5 是不易分解的,并且对硅有腐蚀作用,破坏硅片的表面状态。但在有外来 o2 存在的情况下, pcl 5 会进一步分解成 p2o 5 并放出---( cl 2 )其反应式如下:
4pcl 5 +5o 2=2p 2 o 5 +10cl 2
生成的 p 2 o 5 又进一步与硅作用,生成 sio 2 和磷原子,由此可见,在磷扩散时,为了促使 pocl3 充分的分解和避免 pcl 5 对硅片表面的腐蚀作用,必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。就这样 pocl 3 分解产生的 p 2 o 5 淀积在硅片表面, p 2o 5 与硅反应生成 sio 2 和磷原子,并在硅片表面形成一层磷 - 硅玻璃,然后磷原子再向硅中进行扩散。
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