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电池片丝网印刷技术
印刷厚度：丝网和感光膜的厚度决定印刷后图形的厚度即线条的厚度，如图 10 所示，在一般情况下，丝网目数越低，丝经越粗，印刷后的浆料层就越高，所用丝网目数较高时，印刷后浆料层就低一些。感光膜的厚度与丝网目数和线条的宽度有关：目数越高，丝径越细，感光膜与丝网的接触面积越小，二者的附着力减小，
果印刷线条变窄，增加感光膜的厚度易造成脱落，所以感光膜较薄，感光膜的厚度约为丝网厚度的 15 ％～ 25 ％；对于背铝和背银工序，选取250 目丝网，其厚度为 58um，感光膜厚度为 10 ～ 15um ，则印后厚度为 68 ～ 73μm ，这里计算出来的厚度时浆料的湿厚度（ wetthickness ）．需经过烘干（ dry ）和烧结（ fire ）才是终厚度（干厚度），干厚度是湿厚度的 30% ～ 40% ；对于正银工序，选取 330 目丝网，其厚度为 44um ，感光膜厚度为 5 ～ 10μm ，则印后湿厚度约为 49 ～ 54μm 。
选择丝网丝径及目数时，要求网格的孔长为浆料粉体粒径的 2.5 ～ 5 倍；目数越低丝网越稀疏，网孔越大，油墨通过性就越好；网孔越小，油墨通过性越差，如图 9 所示。
网框 ：网框大多采用硬铝及铝合金以承受绷网所产生的力，连接丝网的底面需要较高的平面度，约为 0.04mm × 150mm × 150mm ; 网框规格一般为承印物的 2 倍：以 150mm 电池片为例，承印物面积为
150mm × 150mm ，网框内口的面积应为
电池片各工艺流程危害要素及异常现象
4.naoh产生金字塔式绒面。naoh浓度值越高，金字塔式容积越小，反映前期，金字塔式成核相对密度类似没受naoh浓度值危害，碱水溶液的腐蚀随naoh浓度值转变比较---，浓度值高的naoh水溶液与硅体现的速率加速，再反映过段时间后，金字塔式容积。naoh浓度值超出必须界线时，各向---系数缩小，绒面会愈来愈差，类似打磨抛光。可控性水平：与ipa相近，线性度不高。
5.na2sio3si和naoh反映生产制造的na2sio3和添加的na2sio3能具有缓冲剂的功效，使反映不会很---，变的轻缓。na2sio3使反映拥有大量的起始点，生长发育出的金字塔式更匀称，更小一点儿na2sio3多的那时候要立即的排出去，na2sio3传热性差，会危害反映，水溶液的黏稠度也提升，非常容易产生水流、花蓝印和表层黑斑。可控性水平：没办法---。4酸洗钝化hcl除去硅片表层的金属材料残渣---具备酸和络合剂的双向功效，---盐能与多种多样金属材料正离子产生可溶解与水的络合物。6酸洗钝化hf除去硅片表层空气氧化层，sio26hf=h2[sif6]2h2o。
基准点1．减薄量界定：硅片制绒前后左右的前后左右净重差。---范畴多晶硅125，硅片薄厚在200±25μm左右，减薄量在0.5±0.2g；硅片薄厚在200±25μm左右，减薄量在0.4±0.2g。多晶硅156，首篮减薄量在0.7±0.2g；之后减薄量在0.6±0.2g。2．绒面分辨规范：成核相对密度高，尺寸适度，匀称。
---范畴：多晶硅：金字塔式规格3~10um。3．外型无豁口，黑斑，裂痕，激光切割线，刮痕，凹痕，有没有白斑病，赃污。
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刻蚀工艺
刻蚀目的
将硅片边缘的带有的磷去除干净，避免 pn 结短路造成并联电阻降低。
刻蚀原理
采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应， 采用高频辉光放电反应，使反应气体---成活性粒子，如原子或各种游离基，这些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应，形成挥发性生成物四---硅而被去除。
化学公式： cf 4 +sio 2 =sif 4 +co 2
工艺流程
预抽，主抽，送气，辉光，抽空，清洗，预抽，主抽 ，充气。
影响因素
1. 射频功率
射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区（耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加。
射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。
2. 时间
刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合。
刻蚀时间过短：刻蚀不充分，没有把边缘鳞去干净， pn 结依然有可能短路造成并联电阻降低。
4. 压力
压力越大，气体含量越少，参与反应的气体也越多，刻蚀也越充份。
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