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pecvd
pe 目的
在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜,以增加入射在硅片上的光的透射,减少反射,陕西光伏辅料,氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。
其化学反应可以简单写成 : sih 4 +nh 3 =sin:h+3h 2 。
基本 原理
pecvd 技术原理是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加---体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜。 pecvd 方法区别于其它 cvd 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子,它们可以提供化学气相沉积过程所需的---能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程,生成活性---的各种化学基团,因而---降低 cvd 薄膜沉积的温度范围,使得原来需要在高温下才能进行的 cvd 过程得以在低温下实现。
基本特征
1. 薄膜沉积工艺的低温化( < 450 ℃ )。
2. 节省能源,降低成本。
3. 提高产能。
4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。
扩散方式
pe 设备有两类:平板式和管式。
按反应方式分为:直接式(岛津)和间接式( roth & rau )。
直接式:基片位于一个电极上,直接接触等离子体。
间接式:基片不接触激发电极。 在微波激发等离子的设备里,等离子产生在反应腔之外,然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 nh3 ,而 sih4 直接进入反应腔。间接 pecvd 的沉积速率比直接的要高很多,这对---生产尤其重要。
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烧结
烧结目的
干燥硅片上的浆料,燃尽浆料的有机组分,使浆料和硅片形成---的欧姆接触。
烧结对电池片的影响
银浆的烧结很重要,对电池片电性能影响主要表现在 串联电阻和并联电阻 ,即 ff 的变化。
铝浆烧结的目的使浆料中的---完全挥发,并形成完好的铝硅合金和铝层。局部的受热不均和散热不均可能会导致起包,---的会起铝珠。背面场经烧结后形成的铝硅合金,铝在硅中是作为 p 型掺杂,它可以减少金属与硅交接处的少子复合,从而提高 开路电压和短路电流 ,---对红外线的响应。
烧结过程
1. 室温 ~300 度,溶剂挥发。
2.300~500度,有机树脂分解排出,需要氧气。
3.400 度以上,玻璃软化。
4.600 度以上,光伏辅料价值,玻璃与减反层反应,实现导电。
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