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刻蚀工艺
刻蚀目的
将硅片边缘的带有的磷去除干净,避免 pn 结短路造成并联电阻降低。
刻蚀原理
采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应, 采用高频辉光放电反应,使反应气体---成活性粒子,如原子或各种游离基,这些活性粒子扩散到硅片边缘,在那里与硅进行反应,形成挥发性生成物四---硅而被去除。
化学公式: cf 4 +sio 2 =sif 4 +co 2
工艺流程
预抽,主抽,送气,辉光,抽空,清洗,预抽,主抽 ,充气。
影响因素
1. 射频功率
射频功率过高:等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤,导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区(耗尽层)造成的损伤会使得结区复合增加。
射频功率太低:会使等离子体不稳定和分布不均匀,从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足,导致并联电阻下降。
2. 时间
刻蚀时间过长:刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大,时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区,从而导致损伤区域高复合。
刻蚀时间过短:刻蚀不充分,没有把边缘鳞去干净, pn 结依然有可能短路造成并联电阻降低。
4. 压力
压力越大,气体含量越少,参与反应的气体也越多,刻蚀也越充份。
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电池片丝网印刷技术
1 引言
随着全球能源的日趋紧张,太阳能以无污染、市场空间大等---的优势受到---的广泛重视,国际上众多大公司投入太阳能电池研发和生产行业。从太阳能获得电力,需通过太阳能电池进行光电变换来实现,硅太阳能电池是一种有效地吸收太阳能辐射并使之转化为电能的半导体电子器件,广泛应用于各种照明及发电系统中。
2 硅太阳能电池的生产工序
太阳能电池原理主要是以半导体材料硅为基体,利用扩散工艺在硅晶体中掺入杂质:当掺入硼、磷等杂质时,硅晶体中就会存在着一个空穴,形成 n 型半导体;同样,掺入磷原子以后,硅晶体中就会有一个电子,形成 p 型半导体, p 型半导体与 n 型半导体结合在一起形成 pn 结,当太阳光照射硅晶体后, pn 结中 n 型半导体的空穴往 p 型区移动,而 p 型区中的电子往 n 型区移动,逆变器回收价格,从而形成从 n 型区到 p 型区的电流,在 pn 结中形成电势差,这就形成了电源。
硅太阳能电池生产的主要工序,从中可以看出丝网印刷是生产太阳能电池的重要工序,其印刷(厚度,宽度,膜厚一致性)影响电池片的技术指标。
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四、 铝珠:
铝珠产生的---原因是过烧,铝的熔点是660℃,当铝受热超过这一温度时,铝颗粒熔化形成了铝珠。通常,烧结炉的设置温度都远高于这一温度,这里所说的660℃是指电池片表面实际感受的温度,设置的温度虽高,由于烧结炉带速很快,铝层实际感受到的温度是远低于设置温度的。
解决这一问题的办法是降下烧结区温度,或是加快烧结炉的带速,减少热量的给予。此法效果非常明显,阜康逆变器,铝珠可得到有效控制。另一方面过分降温会损失电池片的电性能数据,那么降到什么程度呢,我们的经验是,降温到电池片背面手感略微粗糙即可。
五、 铝刺:
1、 背场印刷表面不均匀:检查刮条的平整度;
2、 烧结网带不洁净:清洗网带或对忘带进行打磨;
3、 烧结网带抖动---:由设备人员来调整网带;
4、 烧结温度过高:不影响电性能的情况下降下烧结温度;
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