振鑫焱组件回收厂家-光伏辅料-二手旧光伏辅料回收

工艺实现

为实现利用湿法刻蚀在硅片加工出刻，硅腐蚀。v 形槽条纹这一目标，需要三步工艺：氧化，光图 1 硅单晶晶体结构。

在本文中用（ 100）双面抛光硅片来叙述，图 2 中 v 型槽的两个斜面为 (111)晶面，底面为(100)晶面。由晶体结构计算斜面（ 111）与地面（ 100）夹角 54.736°。当腐蚀的时候，客退光伏辅料回收，从（ 100）硅片上沿着（ 110）方向腐蚀时掉需要腐蚀的硅原子，从而暴露出倾角为 54.736°的（ 111）面，双面进行就会形成 v 型槽结构。这次“双反”强调的是，如果硅片来自内地，而组件和电池在海外并出口至美国的话，不在“双反”范围内。由于硅片的腐蚀存在备向---，硅 (111)晶面的腐蚀速度远小于 (100)面的。因此，只要选择适当的腐蚀温度和时间，就能得到如图 2 所示的硅片 v 型槽。将硅单晶体按（ 100）方向切成所需大小的硅片。

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