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刻蚀原理

硅的湿法刻蚀是指利用含有腐蚀剂的溶液对硅进行腐蚀 ， 可分为各向同性腐蚀技术和各向---腐蚀技术。各向同性腐蚀是指各个晶向上的腐蚀速率相同 ， 衬底和表面取向的不同对腐蚀速率的影响不大。 各向---腐蚀是指硅的不同晶面在某些特定的腐蚀液中被刻蚀的速率不同 ， 导致各个晶向的腐蚀速率不同。理清了这一系列流程，光伏系统的申请、安装、并网就会少走不少弯路，减少碰壁的次数。现出结构边缘平滑的现象。各向同性腐蚀液常用 hf、 hn o 3 和 h2o(ch3cooh) ， 用这些腐蚀液很难实现选择性腐蚀 ， 并且很难能找到能够长时间承受腐蚀的材料。 各向---腐蚀液包括无机腐蚀剂和有机腐蚀剂两种 ， 其中无机腐蚀剂为 nh4oh、 koh 和 naoh 等碱性溶液 ， 有机腐蚀剂为 tmah 、epw( ---二酚、乙二胺、水 ) 和联胺。

通常情况下选用 koh、 ( ch3) 2choh ( ---醇也叫 ipa) [ 8] 和水作为各向---腐蚀液 ，回收抵债电池片，则根据硅在腐蚀液中的腐蚀机制可表示如下：

koh+ h3o= k++2oh- +h +

si+ 2oh -+ 4h 2o=si( oh)62-

si( oh) 6 2- + 6( ch 3) 2ch oh= [ si( oc3h7 ) ] 62- + 6h 2o

然后，络合产物与---醇作用生成可溶解。

腐蚀（ class 100k）

磨片之后，硅片表面还有一定量的均衡损伤，要将这些损伤去除，但尽可能低的引起附加的损伤。比较有特色的就是用化学方法。有两种基本腐蚀方法：碱腐蚀和酸腐蚀。两种方法都被应用于溶解硅片表面的损伤部分。

背损伤（ class 100k）

在硅片的背面进行机械损伤是为了形成金属吸杂中心。 当硅片达到一定温度时 ?， 如 fe， ni， cr，zn 等会降低载流子寿命的金属原子就会在硅体内运动。当这些原子在硅片背面遇到损伤点，它们就会被诱陷并本能地从内部移动到损伤点。如果你家是城市小区，由于小区屋顶属于业主集体所有，所以，除了需要跟物业沟通，还需要跟该楼所有业主沟通，并征得他们签字同意，再到电网公司提交并网申请。背损伤的引入典型的是通过冲击或磨损。举例来说，冲击方法用喷砂法，磨损则用刷子在硅片表面磨擦。其他一些损伤方法还有：淀积一层多晶硅和产生一化学生长层。