硅是自然界中---很广的一种原素，在地壳中，它的含量仅次氧，居第二位。在自然界中，沒有游离态的硅，只能以化合态存有的硅，如二氧化硅、铝硅酸盐等。我国北部地区属于二类地区(资源较丰富)，全年辐射量在5400~6700mj/m2，非常适合安装光伏发电系统。这种化合态的硅普遍存有于地壳的各种各样矿物质和岩层里，是组成矿物质和岩层的关键成份。依据屋顶总面积可安裝30kw上下，但因为自己用电量为单相电表，因此只有报装8kw;若老向电力公司申请办理用电，将单相电表改成三相表，那麼依据电缆线径可承重输出功率为25kw，因而老王报装容积的为25kw。
硅片的预备处理：
在通风柜内，将激光切割好的中小型硅片放置整洁的羟化烧杯（---型）中，电池片价格，将其反面朝上，用去离子水清洗3次，清洗时稍用力，使硅片可以在烧杯中旋转起來，以降低硅片中间的磨擦撞击；将水倒净，马上用移液管（---化物氢---型）往烧杯中添加5ml双氧水（h2o2），随后用移液管（---）添加15ml（h2so4），在摇床边迟缓震荡或静放30分鐘使之充足反映，此反映可让表层---化。扔掉上步反映的液---，用去离子水清洗3次。近日，公司完成了工商登记变更手续，并换领了新的企业法人营业执照。清洗时稍用力，使硅片可以在烧杯中转动起來，以降低硅片中间的磨擦撞击；随后将烧杯口斜放，迟缓旋转烧杯，使烧杯内壁的---能被洗掉。清洗完毕后，用很多水储存硅片，并必须使硅片的反面维持朝上。
工艺实现
为实现利用湿法刻蚀在硅片加工出刻，硅腐蚀。v 形槽条纹这一目标，需要三步工艺：氧化，光图 1 硅单晶晶体结构。
在本文中用（ 100）双面抛光硅片来叙述，图 2 中 v 型槽的两个斜面为 (111)晶面，底面为(100)晶面。由晶体结构计算斜面（ 111）与地面（ 100）夹角 54.736°。根据电工手册总结的大功率功率与导线截面积的关系表，用户可根据自家电表进线粗细，或者并网导线的粗细进行选择判断。当腐蚀的时候，从（ 100）硅片上沿着（ 110）方向腐蚀时掉需要腐蚀的硅原子，从而暴露出倾角为 54.736°的（ 111）面，双面进行就会形成 v 型槽结构。由于硅片的腐蚀存在备向---，硅 (111)晶面的腐蚀速度远小于 (100)面的。因此，只要选择适当的腐蚀温度和时间，就能得到如图 2 所示的硅片 v 型槽。将硅单晶体按（ 100）方向切成所需大小的硅片。
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