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晶体硅电池片检验方法:
2 ) 外观目测:
a. 与表面成 35 °角日常光照情况下观察表面颜色,目视颜色均匀 一致 ,无明显色差花斑、水痕、手印、划痕及污垢。
b. 隐裂:电池片有隐裂、 肉眼可见的裂纹, 均视为不合格
c. 背面铝背电极完整,表面平整 、 边界清晰 、 无明显凸起的“铝珠 , 脱落 3mm 2 / 个 ≤ 5mm 2 、鼓泡累计面积≤5mm
2 , 背面铝膜与基体材料的附着强度? 背膜烧结:用层压机 130 — 145 度,超过 10 分钟。冷却到室温后,用刀片隔开 1cm 的宽度,用大于 50n 的拉力,铅膜不随 eva 脱落,则认为合格。
d. 受光面栅线:主栅线均匀完整,栅线印刷清晰、对称;主栅线与细栅线处允许≤ 1mm ;细栅线允许≤ 2mm 的脱落;栅线印刷偏离,明显两次印刷的返工片视为不合格;断点的总数≤ 60mm。
e. 崩边:每一边不超过两处崩边,崩边间距*** 30mm 、---≤ 0.5 片子厚度、面积≤ mm 2
f . 电池边缘缺角面积不超过 1mm 2 ,数量不超过 2 个。缺角:一边有一处崩边,面积≤5mm 2 ,一边由两处崩边、面积≤3mm 2
g. 电池的崩边、钝形缺口等外形缺损的尺寸要求:长度不大于 1.5mm ,由边缘向中心的---不大于 0.5mm ,同一片电池上正面出现此类外形缺损数量不超过两处。同时不允许电池上 v 形缺口。
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电池片差别
太阳电池开始面世的是单晶硅太阳电池。硅是宇宙上极丰富多彩的这种原素,基本上满地常有硅的存有,百口莫辩取之不竭,用硅来生产制造太阳电池,原材料可以说不缺。可是提炼出它却不易,因此大家在生产制造单晶硅太阳电池的一起,又科学研究了多晶硅太阳电池和非晶硅太阳电池,迄今商业服务经营规模生产制造的太阳电池,都还没跳出来硅的系列产品。我觉得能够生产制造太阳电池的半导体器件许多,随之原材料工业生产的发展趋势、太阳电池的种类将很多。现阶段已开展科学研究和研发的太阳电池,除硅系列产品外,也有---镉、---镓、铜铟硒等很多种类的太阳电池,不胜枚举,下列详细介绍几类较普遍的太阳电池。归类单晶硅太阳电池。
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stf 印制:
a 级:
标识要有虚印、粗印现象(字母线宽度应小于 0.22mm )但仍可辨识时作为 a 级。若标识存在缺印但仍可辨识时,按字母高度的 1/3 判定,缺失长度小于字母高度 1/3 。
b 级:
标识要有虚印、粗印现象,字母线宽度应小于 0.22mm ,但仍可辨识时,如实心“ p ”,若标识存在缺印但仍可辨识时,按字母高度的
1/3 判定,缺失长度小于字母高度 1/3 。
c 级:
若字母变形或无法辨识时直接降为 c 级。
新的标准与旧的相同
缺陷片:
1. 主栅线或副栅线或背电极或背电场超出 c 级降级片的要求时,但仍有利用价值的片子。
2. 由于存储不当造成成电极氧化时,直接以报废片处理
3. 仅印刷烘干而没有经过烧结的电池片,如果还有利用价值,则租铺位缺陷片处理
4. 完全未印制背电场的电池片作缺陷片处理。
5. 叠片仍有利用价值的作为缺陷片,如果全叠片则作为报废片处理。
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