昭通回收单晶硅降级组件---「」

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    2020-9-18

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外扩散种类 

1.稳定源外扩散:在稳态外扩散的标准下,企业時间内根据垂直平分外扩散方位的企业总面积的外扩散品质与该横截面处的浓度梯度正比。 

2.---源外扩散:在再---全过程中,外扩散是在---源的标准下进有的,全部外扩散全过程的残渣源,---于外扩散前积淀在硅片表层的---限薄层内的残渣总产量,沒有外地人残渣填补即在硅片表层处的残渣流相对密度。 

生产车间应用的是二步外扩散:预淀积外扩散。预扩散是稳定源外扩散,关键是促使硅片表层汽体浓度值相同,维持整批方块电阻是匀称性。主外扩散是---源外扩散,而且在主外扩散后进入大氮汽体,做为推动汽体,增加pn结---。




振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:---回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,el,回收单晶硅降级组件,---测试,二手,旧工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,---偿还,返工,光伏模块回收等。

晶体硅电池片检验方法:


2 ) 外观目测:

a. 与表面成 35 °角日常光照情况下观察表面颜色,目视颜色均匀 一致 ,无明显色差花斑、水痕、手印、划痕及污垢。

b. 隐裂:电池片有隐裂、 肉眼可见的裂纹, 均视为不合格

c. 背面铝背电极完整,表面平整 、 边界清晰 、 无明显凸起的“铝珠 , 脱落 3mm 2   / 个 ≤ 5mm 2 、鼓泡累计面积≤5mm

2  ,  背面铝膜与基体材料的附着强度?   背膜烧结:用层压机 130 — 145 度,超过 10 分钟。冷却到室温后,用刀片隔开 1cm 的宽度,用大于 50n 的拉力,铅膜不随 eva 脱落,则认为合格。

d. 受光面栅线:主栅线均匀完整,栅线印刷清晰、对称;主栅线与细栅线处允许≤ 1mm ;细栅线允许≤ 2mm 的脱落;栅线印刷偏离,明显两次印刷的返工片视为不合格;断点的总数≤ 60mm。

e. 崩边:每一边不超过两处崩边,崩边间距*** 30mm 、---≤ 0.5 片子厚度、面积≤ mm 2

f . 电池边缘缺角面积不超过 1mm 2 ,数量不超过 2 个。缺角:一边有一处崩边,面积≤5mm 2 ,一边由两处崩边、面积≤3mm 2

g. 电池的崩边、钝形缺口等外形缺损的尺寸要求:长度不大于 1.5mm ,由边缘向中心的---不大于 0.5mm ,同一片电池上正面出现此类外形缺损数量不超过两处。同时不允许电池上 v 形缺口。





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电池片流程


扩散制结: 太阳能电池需要一个大面积的 pn 结以实现光电转化, 而扩散炉就是制造太阳能电池p-n 结的---设备。扩散用---为扩散源。在 830 度的高温下用氮气将---带入石英容器,通过---和硅片进行反应,得到磷离子,通过硅原子质检的空隙向硅片内扩散,形成 p-n 结。

需注意 :

石英舟一舟可放置 500 片, 扩散面需跟制绒面在同一面上,扩散为单面扩散,工艺流程为 83 分钟。

湿法刻蚀: 利用 hno3 和 hf 的混合液体对扩散后硅片下表面和边缘进行腐蚀 , 去除边缘的 n 型硅 , 使得硅片的上下表---互绝缘。

需注意 : 刻蚀分为干湿两法 ,目前采用湿法,刻蚀后需做亲水性测试。

如何判断亲水性是否---?

用纯水滴在硅片上看硅片上的扩散面积。机械臂流片需要返工因臭氧层丢失。

pevcd:   镀减反射膜可以有效降低光的反射 .

需注意 : 石墨舟一周可放置 240 片硅片,流程为 50 分钟, 在此阶段会发生色斑,色差等问题。

丝网印刷 : 把带有图案的模版附着于丝网上进行印刷   , 通常丝网由尼龙、聚酯、丝绸或金属网制作而成  , 承印物直接放在带有模版的丝网下面,浆料在刮刀的挤压下穿过丝网间的网孔  , 只有图像部分能穿过,印刷到承印物上印刷流程为背电极——背电场——正电极。

需注意 : 断栅 问题会出现在此工艺段。也是电池片的后一大工艺段。










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