晶硅太阳能光伏板的制做全过程
3、去磷硅玻璃该加工工艺用以太阳能电池片生产加工全过程中,根据有机化学浸蚀法也即把硅片放到---水溶液中侵泡,使其造成放热反应转化成可溶的络和物---硅酸,以除去外扩散制结后在硅片表层产生的一层层磷硅玻璃。在外扩散全过程中,pocl3与o2反映转化成p2o5淀积在硅片表层。p2o5与si反映又转化成sio2和磷分子,那样就在硅片表层产生一层层带有磷原素的sio2,称作磷硅玻璃。去磷硅玻璃的机器设备通常由本身、清理槽、伺服电机驱动器系统软件、机械手臂、电气系统和全自动配酸系统软件等一部分构成,关键能源有---、n2、空气压缩、纯净水,热排风系统和污水。---可以融解sio2由于---与sio2反映转化成容易挥发的四---硅汽体。若---过多,反映转化成的四---硅会深化与---反映转化成可溶的络和物---硅酸。
4、低温等离子刻蚀因为在外扩散全过程中,即便选用背对背外扩散,硅片的全部表层包含边沿都将难以避免地外扩散上磷。pn结的反面所搜集到的光生电子器件会顺着边沿外扩散有磷的地区流进pn结的反面,而导致短路故障。因而,务必对太阳电池附近的夹杂硅开展刻蚀,以除去充电电池边沿的pn结。一般 选用低温等离子刻蚀技术性进行这一加工工艺。低温等离子刻蚀是在底压情况下,反映汽体cf4的孕妈分子结构在频射输出功率的激起下,造成电离并产生等离子技术。等离子技术是由感应起电的电子器件和正离子构成,反映波导管中的汽体在电子器件的碰撞下,除开转化成正离子外,还能---吸收动能并产生很多的特---基团。特---反映基团因为外扩散或是在静电场功效下抵达sio2表层,在那边与被刻蚀原材料表层产生放热反应,并产生挥发物的反映反应物摆脱被刻蚀化学物质表层,被超滤装置抽出来波导管。
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丝网印刷
基本原理
基本原理:利用网版图文部分网孔透墨,非图文部分网孔不透墨的基本原理进行印刷。印刷时在网版上加入浆料,刮胶对网版施加一定压力,同时朝网版另一端移动。浆料在移动中从网孔中挤压到承印物上,由于粘性作用而固着在一定范围之内。由于网版与承印物之间保持一定的间隙,网版通过自身的张力产生对刮胶的回弹力,使网版与承印物只呈移动式线接触,而其它部分与承印物为脱离状态,浆料与丝网发生断裂运动,---了印刷尺寸精度。刮胶刮过整个版面后抬起,同时网版也抬起,并通过回墨刀将浆料轻刮回初始位置,完成一个印刷行程。
丝网结构
网版,刮胶,浆料,印刷台,承印物
浆料体系
银铝浆:背面导体,作为背电极,提供可焊性。
铝浆:背面导体,作为背面电场,收集电流。
银浆:正面导体,作为正电极,收集电荷。
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九、崩边、豁口、掉角
充电电池边沿崩边喝豁口
---:其长短≤3mm,---1≤0.5mm,总数≤2处
b级:其长短≤5mm,---1≤1.0mm,总数≤3处
四边豁口
---:规格≤1.5*1.5mm,总数≤1处
b级:规格≤2.0*2.0mm,总数≤1处
注:多晶硅---和b级均不容许有三边形豁口和锐利行豁口,左右豁口都不能过电级(主栅线,副栅线)
超出b级范畴
多晶硅电池片超出了b级范畴,就立即做为缺点片。
多晶电池片超出了b级范畴,如合乎c级需切角片的规定,能作c级需切角片多
经容许边缘有豁口(包含三边形豁口和锐利行豁口),对边缘豁口听规定给出
125任意边缘破损≤18*18mm
150任意边缘破损≤8*8mm
156任意边缘破损≤14*14mm注:多晶电池片超过了c级片的规定,做为缺点片。---粉碎,无运用使用价值的做为报费片新的规范与旧的同样。
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