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外扩散种类
1.稳定源外扩散:在稳态外扩散的标准下,企业時间内根据垂直平分外扩散方位的企业总面积的外扩散品质与该横截面处的浓度梯度正比。
2.---源外扩散:在再---全过程中,外扩散是在---源的标准下进有的,全部外扩散全过程的残渣源,---于外扩散前积淀在硅片表层的---限薄层内的残渣总产量,沒有外地人残渣填补即在硅片表层处的残渣流相对密度。
生产车间应用的是二步外扩散:预淀积外扩散。预扩散是稳定源外扩散,关键是促使硅片表层汽体浓度值相同,维持整批方块电阻是匀称性。主外扩散是---源外扩散,而且在主外扩散后进入大氮汽体,做为推动汽体,增加pn结---。
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电池片流程
扩散制结: 太阳能电池需要一个大面积的 pn 结以实现光电转化, 而扩散炉就是制造太阳能电池p-n 结的---设备。扩散用---为扩散源。在 830 度的高温下用氮气将---带入石英容器,通过---和硅片进行反应,得到磷离子,通过硅原子质检的空隙向硅片内扩散,形成 p-n 结。
需注意 :
石英舟一舟可放置 500 片, 扩散面需跟制绒面在同一面上,扩散为单面扩散,工艺流程为 83 分钟。
湿法刻蚀: 利用 hno3 和 hf 的混合液体对扩散后硅片下表面和边缘进行腐蚀 , 去除边缘的 n 型硅 ,报废组件, 使得硅片的上下表---互绝缘。
需注意 : 刻蚀分为干湿两法 ,目前采用湿法,刻蚀后需做亲水性测试。
如何判断亲水性是否---?
用纯水滴在硅片上看硅片上的扩散面积。机械臂流片需要返工因臭氧层丢失。
pevcd: 镀减反射膜可以有效降低光的反射 .
需注意 : 石墨舟一周可放置 240 片硅片,流程为 50 分钟, 在此阶段会发生色斑,色差等问题。
丝网印刷 : 把带有图案的模版附着于丝网上进行印刷 , 通常丝网由尼龙、聚酯、丝绸或金属网制作而成 , 承印物直接放在带有模版的丝网下面,浆料在刮刀的挤压下穿过丝网间的网孔 , 只有图像部分能穿过,印刷到承印物上印刷流程为背电极——背电场——正电极。
需注意 : 断栅 问题会出现在此工艺段。也是电池片的后一大工艺段。
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刻蚀工艺
刻蚀目的
将硅片边缘的带有的磷去除干净,避免 pn 结短路造成并联电阻降低。
刻蚀原理
采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应, 采用高频辉光放电反应,使反应气体---成活性粒子,如原子或各种游离基,这些活性粒子扩散到硅片边缘,在那里与硅进行反应,形成挥发性生成物四---硅而被去除。
化学公式: cf 4 +sio 2 =sif 4 +co 2
工艺流程
预抽,主抽,送气,辉光,抽空,清洗,预抽,主抽 ,充气。
影响因素
1. 射频功率
射频功率过高:等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤,导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区(耗尽层)造成的损伤会使得结区复合增加。
射频功率太低:会使等离子体不稳定和分布不均匀,从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足,导致并联电阻下降。
2. 时间
刻蚀时间过长:刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大,时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区,从而导致损伤区域高复合。
刻蚀时间过短:刻蚀不充分,没有把边缘鳞去干净, pn 结依然有可能短路造成并联电阻降低。
4. 压力
压力越大,气体含量越少,参与反应的气体也越多,刻蚀也越充份。
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