刻蚀原理
硅的湿法刻蚀是指利用含有腐蚀剂的溶液对硅进行腐蚀 ， 可分为各向同性腐蚀技术和各向---腐蚀技术。各向同性腐蚀是指各个晶向上的腐蚀速率相同 ， 衬底和表面取向的不同对腐蚀速率的影响不大。 各向---腐蚀是指硅的不同晶面在某些特定的腐蚀液中被刻蚀的速率不同 ， 导致各个晶向的腐蚀速率不同。现出结构边缘平滑的现象。各向同性腐蚀液常用 hf、 hn o 3 和 h2o(ch3cooh) ， 用这些腐蚀液很难实现选择性腐蚀 ， 并且很难能找到能够长时间承受腐蚀的材料。 各向---腐蚀液包括无机腐蚀剂和有机腐蚀剂两种 ， 其中无机腐蚀剂为 nh4oh、 koh 和 naoh 等碱性溶液 ， 有机腐蚀剂为 tmah 、epw( ---二酚、乙二胺、水 ) 和联胺。按现在光伏电站市场价，安装一套5kw(占地约50平米)光伏电站系统大概需要4、5万元。
通常情况下选用 koh、 ( ch3) 2choh ( ---醇也叫 ipa) [ 8] 和水作为各向---腐蚀液 ，则根据硅在腐蚀液中的腐蚀机制可表示如下：
koh+ h3o= k++2oh- +h +
si+ 2oh -+ 4h 2o=si( oh)62-
si( oh) 6 2- + 6( ch 3) 2ch oh= [ si( oc3h7 ) ] 62- + 6h 2o
然后，络合产物与---醇作用生成可溶解。
硅片的预备处理：
在通风柜内，将激光切割好的中小型硅片放置整洁的羟化烧杯（---型）中，将其反面朝上，回收------抛光片，用去离子水清洗3次，清洗时稍用力，使硅片可以在烧杯中旋转起來，以降低硅片中间的磨擦撞击；将水倒净，马上用移液管（---化物氢---型）往烧杯中添加5ml双氧水（h2o2），随后用移液管（---）添加15ml（h2so4），在摇床边迟缓震荡或静放30分鐘使之充足反映，此反映可让表层---化。扔掉上步反映的液---，用去离子水清洗3次。清洗时稍用力，使硅片可以在烧杯中转动起來，以降低硅片中间的磨擦撞击；问题是材料的来源，由于铟和硒都是比较稀有的元素，因此，这类电池的发展又必然受到---。随后将烧杯口斜放，迟缓旋转烧杯，使烧杯内壁的---能被洗掉。清洗完毕后，用很多水储存硅片，并必须使硅片的反面维持朝上。
硅有晶体硅和不定形硅二种同素异形体。晶体硅是黑灰色、有金属---、硬而脆的固态（见原素硅大晶体图），它的构造类似金钢石，溶点和熔点都---，强度也挺大。晶体硅还有一个关键的特性，就是说它的导电率接近导体和绝缘体中间，是优良的半导体器件。
上年有好几个省区改动了輔助服务项目的实施方案，---是在三北地域对调整开关电源的补助较为高。年末电监会南方---局也下达了通告，容许储能电站单独参加或是与别的行为主体协同参加輔助消费市场。通告也提及说储能电站依据电力调度组织命令进到充电情况的，按其出示充电调峰服务项目统计分析，对充电用电量开展赔偿。”振鑫焱光伏科技有关人士表达。在自然界中，没有游离态的硅,只有以化合态存在的硅，如二氧化硅、硅酸盐等。
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