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刻蚀原理

硅的湿法刻蚀是指利用含有腐蚀剂的溶液对硅进行腐蚀 ， 可分为各向同性腐蚀技术和各向---腐蚀技术。各向同性腐蚀是指各个晶向上的腐蚀速率相同 ， 衬底和表面取向的不同对腐蚀速率的影响不大。 各向---腐蚀是指硅的不同晶面在某些特定的腐蚀液中被刻蚀的速率不同 ， 导致各个晶向的腐蚀速率不同。现出结构边缘平滑的现象。各向同性腐蚀液常用 hf、 hn o 3 和 h2o(ch3cooh) ， 用这些腐蚀液很难实现选择性腐蚀 ， 并且很难能找到能够长时间承受腐蚀的材料。39元/千瓦时未能在白城基地中标，但中标电价降幅均超过了30%，对光伏发电平价上网的作用仍不容忽视。 各向---腐蚀液包括无机腐蚀剂和有机腐蚀剂两种 ， 其中无机腐蚀剂为 nh4oh、 koh 和 naoh 等碱性溶液 ， 有机腐蚀剂为 tmah 、epw( ---二酚、乙二胺、水 ) 和联胺。

通常情况下选用 koh、 ( ch3) 2choh ( ---醇也叫 ipa) [ 8] 和水作为各向---腐蚀液 ，鄂州组件，则根据硅在腐蚀液中的腐蚀机制可表示如下：

koh+ h3o= k++2oh- +h +

si+ 2oh -+ 4h 2o=si( oh)62-

si( oh) 6 2- + 6( ch 3) 2ch oh= [ si( oc3h7 ) ] 62- + 6h 2o

然后，络合产物与---醇作用生成可溶解。

硅基片表面的---化处理

    取出 氨化烧杯（ --- ），回收报废组件多少钱， 先用无水---清洗 2 次， 然后倒入 20ml 无水---，将步骤（ 2）反应后的获得的---化硅片转移到氨化烧杯中，用无水---清洗 3 次。清洗时同步骤（２） ，使硅片处于---环境中；清洗完成后倒掉---，迅速加入 3-------三乙------（ aptes）和无水---的混合液（体积比为 1： 15），或者先加 15ml 无水---，然后用移液管加 1mlaptes，摇床上振摇反应 2 h。厂家长期现金采购电池片，硅片，多晶硅，单晶硅，硅料，光伏组件，太阳能电池板回收太阳能电池板功率计算方法太阳能交流发电系统是由太阳电池板、充电控制器、逆变器和蓄电池共同组成。该反应结束后可以使硅片表面---化。