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影响因素
1 .频率
射频 pecvd 系统大都采用 50khz~13.56 mhz 的工业频段射频电源。较高频率( >;4mhz )沉积的氮化硅薄膜具有---的钝化效果和稳定性。
2 .射频功率
增加 rf 功率通常会--- sin 膜的。但是,功率密度不宜过大,超过 1w/cm2 时器件会造成---的射频损伤。
3 .衬底温度
pecvd 膜的沉积温度一般为 250 ~ 400 ℃ 。这样能---氮化硅薄膜在hf 中有足够低的腐蚀速率,并有较低的本征压力,从而有---的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜,本征应力很大且为张应力,而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。
4 .气体流量
影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 sih4 。为了防止富硅膜,选择nh3/sih4=2~20 (体积比)。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率,通常采用较大的气体总流量,以---沉积的均匀性。
5 .反应气体浓度
sih4 的百分比浓度及 sih4/nh3 流量比,对沉积速率、氮化硅膜的组分及物化性质均有重大影响。
理想 si3n4 的 si/n = 0.75 ,而 pecvd 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化,但多为富硅膜,可写成 sin 。因此,必须控制气体中的 sih4 浓度,不宜过高,并采用较高的 sin 比。除了 si 和 n 外, pecvd 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子,即 sixnyhz 或 sinx :h 。
6 .反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。
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stf 印制:
a 级:
标识要有虚印、粗印现象(字母线宽度应小于 0.22mm )但仍可辨识时作为 a 级。若标识存在缺印但仍可辨识时,按字母高度的 1/3 判定,缺失长度小于字母高度 1/3 。
b 级:
标识要有虚印、粗印现象,字母线宽度应小于 0.22mm ,但仍可辨识时,如实心“ p ”,若标识存在缺印但仍可辨识时,按字母高度的
1/3 判定,缺失长度小于字母高度 1/3 。
c 级:
若字母变形或无法辨识时直接降为 c 级。
新的标准与旧的相同
缺陷片:
1. 主栅线或副栅线或背电极或背电场超出 c 级降级片的要求时,但仍有利用价值的片子。
2. 由于存储不当造成成电极氧化时,直接以报废片处理
3. 仅印刷烘干而没有经过烧结的电池片,如果还有利用价值,则租铺位缺陷片处理
4. 完全未印制背电场的电池片作缺陷片处理。
5. 叠片仍有利用价值的作为缺陷片,如果全叠片则作为报废片处理。
从图 5 的印刷原理示意中可以看出,刮刀的作用是将浆料以一定的速度和角度将浆料压入丝网的漏孔中,刮刀在印刷时对丝网保持一定的压力,刃口压强在 10 ~ 15n / cm 之间,刮板压力过大容易使丝网发生变形,印刷后的图形与丝网的图形不一致,也加剧刮刀和丝网的磨损,刮板压力过小会在印刷后的丝网上存在残留浆料。
刮刀材料一般为聚胺脂橡胶或---橡胶,硬度范围为邵氏 a60° ~ a90° ,刮板条的硬度越低,印刷图形的厚度越大,刮刀材料必须耐磨,刃口有---的直线性,保持与丝网的全接触;刮刀一般选用菱形刮刀,它具有 4 个刃口,可逐个使用,利用率高。
刮刀速度:刮刀速度是决定效率的大因素,以半自动印---为例,印刷所占时间一般为总循环的 2 / 3 ;印刷速度的设定由印刷图形和印刷用浆料的黏度决定,回收电站拆卸逆变器,速度越高,刮刀带动浆料进入丝网漏孔的时间越短,浆料的填充性会差,出现图 7 所示现象,如果印刷线条精细,速度应低一些,图 4 所示的正银工序中栅线的线宽在 0.1 ~ 0.12nun ,一般速度设定在 200 ~ 250mm / s ,图 3 所示的背铝和背银工序因印刷线条宽速度设定在 300mm / s ;印刷用浆料因不同工序而不同,相应黏度不同,但总体黏度比较低,所以印刷速度较快;在实际的印刷中速度的恒定同样很重要,如果在印刷过程中速度出现波动,会导致图形厚度的不一致。
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