振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：---回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，el，---测试，二手，旧工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，报废组件价值，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，---偿还，返工，光伏模块回收等。
电池片丝网印刷技术
1 引言
随着全球能源的日趋紧张，太阳能以无污染、市场空间大等---的优势受到---的广泛重视，回收报废组件，国际上众多大公司投入太阳能电池研发和生产行业。从太阳能获得电力，需通过太阳能电池进行光电变换来实现，硅太阳能电池是一种有效地吸收太阳能辐射并使之转化为电能的半导体电子器件，广泛应用于各种照明及发电系统中。
2 硅太阳能电池的生产工序
太阳能电池原理主要是以半导体材料硅为基体，利用扩散工艺在硅晶体中掺入杂质：当掺入硼、磷等杂质时，硅晶体中就会存在着一个空穴，形成 n 型半导体；同样，掺入磷原子以后，硅晶体中就会有一个电子，形成 p 型半导体， p 型半导体与 n 型半导体结合在一起形成 pn 结，当太阳光照射硅晶体后， pn 结中 n 型半导体的空穴往 p 型区移动，而 p 型区中的电子往 n 型区移动，从而形成从 n 型区到 p 型区的电流，在 pn 结中形成电势差，这就形成了电源。
硅太阳能电池生产的主要工序，从中可以看出丝网印刷是生产太阳能电池的重要工序，其印刷（厚度，宽度，膜厚一致性）影响电池片的技术指标。
电池片各工艺流程危害要素及异常现象
4.naoh产生金字塔式绒面。naoh浓度值越高，金字塔式容积越小，反映前期，金字塔式成核相对密度类似没受naoh浓度值危害，碱水溶液的腐蚀随naoh浓度值转变比较---，浓度值高的naoh水溶液与硅体现的速率加速，回收旧报废组件，再反映过段时间后，金字塔式容积。naoh浓度值超出必须界线时，各向---系数缩小，绒面会愈来愈差，类似打磨抛光。可控性水平：与ipa相近，线性度不高。
5.na2sio3si和naoh反映生产制造的na2sio3和添加的na2sio3能具有缓冲剂的功效，使反映不会很---，变的轻缓。na2sio3使反映拥有大量的起始点，生长发育出的金字塔式更匀称，更小一点儿na2sio3多的那时候要立即的排出去，na2sio3传热性差，会危害反映，水溶液的黏稠度也提升，非常容易产生水流、花蓝印和表层黑斑。可控性水平：没办法---。4酸洗钝化hcl除去硅片表层的金属材料残渣---具备酸和络合剂的双向功效，---盐能与多种多样金属材料正离子产生可溶解与水的络合物。6酸洗钝化hf除去硅片表层空气氧化层，sio26hf=h2[sif6]2h2o。
基准点1．减薄量界定：硅片制绒前后左右的前后左右净重差。---范畴多晶硅125，硅片薄厚在200±25μm左右，减薄量在0.5±0.2g；硅片薄厚在200±25μm左右，减薄量在0.4±0.2g。多晶硅156，首篮减薄量在0.7±0.2g；之后减薄量在0.6±0.2g。2．绒面分辨规范：成核相对密度高，尺寸适度，匀称。
---范畴：多晶硅：金字塔式规格3~10um。3．外型无豁口，黑斑，裂痕，激光切割线，刮痕，凹痕，有没有白斑病，赃污。
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刻蚀工艺
刻蚀目的
将硅片边缘的带有的磷去除干净，避免 pn 结短路造成并联电阻降低。
刻蚀原理
采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应， 采用高频辉光放电反应，使反应气体---成活性粒子，如原子或各种游离基，这些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应，形成挥发性生成物四---硅而被去除。
化学公式： cf 4 +sio 2 =sif 4 +co 2
工艺流程
预抽，主抽，送气，辉光，抽空，清洗，预抽，主抽 ，充气。
影响因素
1. 射频功率
射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区（耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加。
射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。
2. 时间
刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合。
刻蚀时间过短：刻蚀不充分，没有把边缘鳞去干净， pn 结依然有可能短路造成并联电阻降低。
4. 压力
压力越大，气体含量越少，参与反应的气体也越多，刻蚀也越充份。
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