实验电池板回收欢迎来电

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一14、漏浆

---： 漏浆单独总面积低于0.5*0.5mm，总数低于3个 

b级：跑模单独总面积低于1。0*1.0mm总数不分

c级：跑模单独总面积低于1。0*2。0mm总数不分 

缺点/报废片： 

超过c级片的规定为缺点片，超过缺点片规定的为报费片。 

注：（1）在一切正常包装印刷图型处时，依照“包装印刷图型”要求分辨，没有包装印刷图型处时依照以上要求辨别。 

（2）跑模在背静电场或背电级时，依据铝苞要求分辨

（3）跑模在侧边时，假如影象电池片电气性能和外型时，则返修后再次归类检验，随后再次判断，假如不危害电池片电气性能和外型的时候一切正常排出 

（4）硅晶掉下来按跑模总面积判断新的规范：与旧的规范同样侧边漏浆片做打磨抛光片解决打磨抛光片处理过程非铝苞片：一概出口（不 rsh***6）零头和满包全入出口货位备注名称：dm选用黄标识铝苞片：暂未作自购片待产品研发作部件实验（ rsh***6）零头入铝苞零头货位满包入铝苞满包货位备注名称：dm lb选用白标识

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刻蚀工艺

刻蚀目的

将硅片边缘的带有的磷去除干净，避免 pn 结短路造成并联电阻降低。

刻蚀原理

采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应， 采用高频辉光放电反应，使反应气体---成活性粒子，如原子或各种游离基，这些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应，形成挥发性生成物四---硅而被去除。

化学公式： cf 4 +sio 2 =sif 4 +co 2

工艺流程

预抽，主抽，送气，辉光，抽空，清洗，预抽，主抽   ，充气。

影响因素

1. 射频功率

射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区（耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加。

射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。

2. 时间

刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合。

刻蚀时间过短：刻蚀不充分，没有把边缘鳞去干净， pn 结依然有可能短路造成并联电阻降低。

4.   压力

压力越大，气体含量越少，参与反应的气体也越多，刻蚀也越充份。