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九、崩边、豁口、掉角
充电电池边沿崩边喝豁口
---:其长短≤3mm,---1≤0.5mm,总数≤2处
b级:其长短≤5mm,---1≤1.0mm,总数≤3处
四边豁口
---:规格≤1.5*1.5mm,总数≤1处
b级:规格≤2.0*2.0mm,总数≤1处
注:多晶硅---和b级均不容许有三边形豁口和锐利行豁口,左右豁口都不能过电级(主栅线,副栅线)
超出b级范畴
多晶硅电池片超出了b级范畴,就立即做为缺点片。
多晶电池片超出了b级范畴,发电板,如合乎c级需切角片的规定,能作c级需切角片多
经容许边缘有豁口(包含三边形豁口和锐利行豁口),对边缘豁口听规定给出
125任意边缘破损≤18*18mm
150任意边缘破损≤8*8mm
156任意边缘破损≤14*14mm注:多晶电池片超过了c级片的规定,做为缺点片。---粉碎,无运用使用价值的做为报费片新的规范与旧的同样。
振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:---回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,库存发电板回收,降级,库存,el,---测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,---偿还,返工,光伏模块回收等。
刻蚀工艺
刻蚀目的
将硅片边缘的带有的磷去除干净,避免 pn 结短路造成并联电阻降低。
刻蚀原理
采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应, 采用高频辉光放电反应,使反应气体---成活性粒子,如原子或各种游离基,这些活性粒子扩散到硅片边缘,在那里与硅进行反应,形成挥发性生成物四---硅而被去除。
化学公式: cf 4 +sio 2 =sif 4 +co 2
工艺流程
预抽,主抽,送气,辉光,抽空,清洗,预抽,主抽 ,充气。
影响因素
1. 射频功率
射频功率过高:等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤,导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区(耗尽层)造成的损伤会使得结区复合增加。
射频功率太低:会使等离子体不稳定和分布不均匀,从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足,导致并联电阻下降。
2. 时间
刻蚀时间过长:刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大,时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区,从而导致损伤区域高复合。
刻蚀时间过短:刻蚀不充分,没有把边缘鳞去干净, pn 结依然有可能短路造成并联电阻降低。
4. 压力
压力越大,回收滞销发电板,气体含量越少,参与反应的气体也越多,刻蚀也越充份。
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5.1.5 尺寸
电池尺寸的检验采用分辨力优于0.02mm 的卡尺测量,电池的厚度采用分辨力优于 0.01mm 的千分尺测量。
电池的角度偏差采用分辨力优于0. 1° 的量角器测量。
电池的厚度偏差和总厚度偏差检验参照 gb/t6618 进行
5.1.6 外观
在照度不小于 800lux的白色光源下对电池的表面颜色进行目测。
电池的崩边、钝性缺口等外观缺损的尺寸检测,采用分辨力优于 0.02mm 的量具测量。 5.2 力学性能
5.2.1 弯曲变形
使用表面平整度优于0.01mm 平台,电池背面朝下水平放置,用分辨力优于 0.01mm 的量具进行检验。
5.2.2 电极附着强度或电极 / 焊点抗拉强度
电极的附着强度和电极 / 焊点的抗拉强度试验采用同一方法,。将一根长 150mm ,宽 1.7mm 的焊锡条引线焊接在电池电极上,焊接长度为 10mm ,焊接以不虚焊为准,在与焊接面成 45 °对引线施加拉力,逐渐加大拉力,在拉力不低于 2.49n 的情况下持续 10s 以上。
5.3 电性能
5.3.1 电性能参数的温度系数测量电池的温度系数测量按sj/t 10459 进行。
5.3.2 电性能参数测量
电池的电性能参数测量按gb/t6495.1 和 gb/t6495.3进行。
5.3 热循环试验
将测试电池样品间隔的放置在环境试验箱(相对湿度小于 60% )中,按图 4 的温度分布,使电池的温度在 -40 ℃± 2 ℃ 和 85 ℃± 2 ℃ 之间循环。在两个---温度的保持时间不少于 10min ,循环次数 5 次。再按本标准的规定对电池的外观、力学性能和电池转换效率进行检测。
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