烟台光伏辅料多少钱

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stf 印制：

a 级：

标识要有虚印、粗印现象（字母线宽度应小于 0.22mm   ）但仍可辨识时作为 a 级。若标识存在缺印但仍可辨识时，按字母高度的 1/3 判定，缺失长度小于字母高度 1/3 。

b 级：

标识要有虚印、粗印现象，字母线宽度应小于 0.22mm   ，但仍可辨识时，如实心“ p ”，若标识存在缺印但仍可辨识时，按字母高度的

1/3 判定，缺失长度小于字母高度 1/3 。

c 级：

若字母变形或无法辨识时直接降为 c 级。

新的标准与旧的相同

缺陷片：

1．   主栅线或副栅线或背电极或背电场超出 c 级降级片的要求时，但仍有利用价值的片子。

2．   由于存储不当造成成电极氧化时，直接以报废片处理

3．   仅印刷烘干而没有经过烧结的电池片，如果还有利用价值，则租铺位缺陷片处理

4．   完全未印制背电场的电池片作缺陷片处理。

5．   叠片仍有利用价值的作为缺陷片，如果全叠片则作为报废片处理。

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pecvd

pe 目的

在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。

其化学反应可以简单写成 ： sih 4 +nh 3 =sin:h+3h 2 。

基本 原理

pecvd 技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加---体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 pecvd 方法区别于其它 cvd 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的---能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性---的各种化学基团，因而---降低 cvd 薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的 cvd 过程得以在低温下实现。  

基本特征

1. 薄膜沉积工艺的低温化（ < 450 ℃ ）。

2. 节省能源，降低成本。

3. 提高产能。

4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。

扩散方式

pe 设备有两类：平板式和管式。

按反应方式分为：直接式（岛津）和间接式（ roth ＆ rau  ）。

直接式：基片位于一个电极上，直接接触等离子体。  

间接式：基片不接触激发电极。 在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 nh3 ，而 sih4 直接进入反应腔。间接 pecvd 的沉积速率比直接的要高很多，这对---生产尤其重要。