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刻蚀工艺
刻蚀目的
将硅片边缘的带有的磷去除干净,避免 pn 结短路造成并联电阻降低。
刻蚀原理
采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应, 采用高频辉光放电反应,使反应气体---成活性粒子,如原子或各种游离基,这些活性粒子扩散到硅片边缘,在那里与硅进行反应,形成挥发性生成物四---硅而被去除。
化学公式: cf 4 +sio 2 =sif 4 +co 2
工艺流程
预抽,主抽,送气,辉光,抽空,清洗,预抽,主抽 ,充气。
影响因素
1. 射频功率
射频功率过高:等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤,导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区(耗尽层)造成的损伤会使得结区复合增加。
射频功率太低:会使等离子体不稳定和分布不均匀,从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足,导致并联电阻下降。
2. 时间
刻蚀时间过长:刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大,时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区,从而导致损伤区域高复合。
刻蚀时间过短:刻蚀不充分,没有把边缘鳞去干净, pn 结依然有可能短路造成并联电阻降低。
4. 压力
压力越大,气体含量越少,参与反应的气体也越多,刻蚀也越充份。
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外扩散种类
1.稳定源外扩散:在稳态外扩散的标准下,企业時间内根据垂直平分外扩散方位的企业总面积的外扩散品质与该横截面处的浓度梯度正比。
2.---源外扩散:在再---全过程中,外扩散是在---源的标准下进有的,全部外扩散全过程的残渣源,---于外扩散前积淀在硅片表层的---限薄层内的残渣总产量,沒有外地人残渣填补即在硅片表层处的残渣流相对密度。
生产车间应用的是二步外扩散:预淀积外扩散。预扩散是稳定源外扩散,关键是促使硅片表层汽体浓度值相同,维持整批方块电阻是匀称性。主外扩散是---源外扩散,而且在主外扩散后进入大氮汽体,做为推动汽体,增加pn结---。
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3、界定
3.1钝性豁口豁口样子展现为沿边沿轻缓衔接,并不是向管理中心深层次的情况。
3.2v形豁口豁口样子展现为向管理中心锐利深层次的样子,相近英文字母“v”。
4、规定
4.1设计方案和构造4.1.1pcb原材料充电电池的pcb原材料就是指单晶硅片或多晶硅片,应合乎有关标准的要求。
4.1.2电级
4.1.2.1电级图型详细电级图型规格及样子应产成品详尽标准中要求。4.1.2.2电级应无掉色状况(如---橡胶造成的掉色)。4.1.2.3电级的导电率应产成品详尽标准中要求。
4.1.2.4电级的可焊性应产成品详尽标准中要求。
4.1.3铝背场4.1.3.1选用铝背场总体设计的充电电池,因为反面铝膜造成的充电电池弯折形变应产成品的详尽标准中要求。
4.1.3.2反面铝膜与pcb原材料的粘附抗压强度应产成品的详尽标准中要求。
4.1.3.3反面铝膜的突起高宽比应产成品详尽标准要求。铝膜图型详细,图型偏移应产成品详尽标准中要求。
4.1.3.4反面铝膜的导电率应产成品详尽标准中要求。
4.1.4减反射膜选用减反射膜设计方案构造的充电电池,减反射膜与pcb原材料的粘附抗压强度选用5.1.4要求的方式 开展检验后,减反射膜不掉下来。
4.1.5规格表1和表2要求了典型性充电电池的规格规定,别的充电电池的规格规格型号规定应产成品详尽标准中要求。
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