廊坊回收报废硅料多少钱常用指南「」

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烧结

烧结目的

干燥硅片上的浆料，燃尽浆料的有机组分，使浆料和硅片形成---的欧姆接触。

烧结对电池片的影响

银浆的烧结很重要，对电池片电性能影响主要表现在 串联电阻和并联电阻 ，即 ff 的变化。

铝浆烧结的目的使浆料中的---完全挥发，并形成完好的铝硅合金和铝层。局部的受热不均和散热不均可能会导致起包，---的会起铝珠。背面场经烧结后形成的铝硅合金，铝在硅中是作为 p 型掺杂，它可以减少金属与硅交接处的少子复合，从而提高 开路电压和短路电流 ，---对红外线的响应。

烧结过程

1. 室温 ~300 度，溶剂挥发。

2.300~500度，有机树脂分解排出，需要氧气。

3.400 度以上，玻璃软化。

4.600 度以上，玻璃与减反层反应，实现导电。

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pecvd

pe 目的

在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。

其化学反应可以简单写成 ： sih 4 +nh 3 =sin:h+3h 2 。

基本 原理

pecvd 技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加---体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 pecvd 方法区别于其它 cvd 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的---能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性---的各种化学基团，因而---降低 cvd 薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的 cvd 过程得以在低温下实现。  

基本特征

1. 薄膜沉积工艺的低温化（ < 450 ℃ ）。

2. 节省能源，降低成本。

3. 提高产能。

4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。

扩散方式

pe 设备有两类：平板式和管式。

按反应方式分为：直接式（岛津）和间接式（ roth ＆ rau  ）。

直接式：基片位于一个电极上，直接接触等离子体。  

间接式：基片不接触激发电极。 在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 nh3 ，而 sih4 直接进入反应腔。间接 pecvd 的沉积速率比直接的要高很多，这对---生产尤其重要。