振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：---回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，el，---测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，---偿还，返工，旧单晶硅，光伏模块回收等。
背电场：
a 级：
背电场完整，厚薄均匀，允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 5% ，变色面积不超过背电场面积的 15% 。
新的标准：背电场完整，厚薄均匀，不允许有缺失
b 级：
允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 10% ，变色面积不超过背电场面积的 30% 。
新的标准：允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 5% ，变色面积不超过背电场面积的 15% 。
c 级：
允许有缺失，缺失面积不超过背电场总面积的 10% ，变色面积不超过背电场面积的 50% 。
新的标准：缺失面积不超过背电场总面积的 5% ，变色面积不超过背电场面积的 50% 。
粗点：
a 级：
粗点宽度≤ 0.18mm ，个数小于 2 个
新的标准：不允许有粗点
b 级：
粗点宽度≤ 0.25mm ，个数小于 5 个
新的标准：允许有粗点，粗点宽度≤ 0.18mm ，个数小于 2 个
c 级：
粗点宽度≤ 0.3mm ，个数小于 8 个
新的标准：当主栅线或副栅线有明显粗细不均时，应用刻度显微镜进行查检。
振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：---回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，el，---测试，铜川单晶硅，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，---偿还，返工，光伏模块回收等。
影响因素
1 ．频率
射频 pecvd 系统大都采用 50khz~13.56 mhz 的工业频段射频电源。较高频率（ >;4mhz ）沉积的氮化硅薄膜具有---的钝化效果和稳定性。
2 ．射频功率
增加 rf 功率通常会--- sin 膜的。但是，功率密度不宜过大，超过 1w/cm2 时器件会造成---的射频损伤。
3 ．衬底温度
pecvd 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能---氮化硅薄膜在hf 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有---的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。
4 ．气体流量
影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 sih4 。为了防止富硅膜，选择nh3/sih4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以---沉积的均匀性。
5 ．反应气体浓度
sih4 的百分比浓度及 sih4/nh3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及物化性质均有重大影响。
理想 si3n4 的 si/n ＝ 0.75 ，而 pecvd 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 sin 。因此，必须控制气体中的 sih4 浓度，不宜过高，并采用较高的 sin 比。除了 si 和 n 外， pecvd 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 sixnyhz 或 sinx :h 。
6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。
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晶体硅电池片检验方法：
2 ） 外观目测：
a. 与表面成 35 °角日常光照情况下观察表面颜色，目视颜色均匀 一致 ，无明显色差花斑、水痕、手印、划痕及污垢。
b. 隐裂：电池片有隐裂、 肉眼可见的裂纹，回收报废单晶硅， 均视为不合格
c. 背面铝背电极完整，表面平整 、 边界清晰 、 无明显凸起的“铝珠 ， 脱落 3mm 2 / 个 ≤ 5mm 2 、鼓泡累计面积≤5mm
2 ， 背面铝膜与基体材料的附着强度? 背膜烧结：用层压机 130 — 145 度，超过 10 分钟。冷却到室温后，用刀片隔开 1cm 的宽度，用大于 50n 的拉力，铅膜不随 eva 脱落，则认为合格。
d. 受光面栅线：主栅线均匀完整，栅线印刷清晰、对称；主栅线与细栅线处允许≤ 1mm ；细栅线允许≤ 2mm 的脱落；栅线印刷偏离，明显两次印刷的返工片视为不合格；断点的总数≤ 60mm。
e. 崩边：每一边不超过两处崩边，崩边间距*** 30mm 、---≤ 0.5 片子厚度、面积≤ mm 2
f . 电池边缘缺角面积不超过 1mm 2 ，数量不超过 2 个。缺角：一边有一处崩边，面积≤5mm 2 ，一边由两处崩边、面积≤3mm 2
g. 电池的崩边、钝形缺口等外形缺损的尺寸要求：长度不大于 1.5mm ，由边缘向中心的---不大于 0.5mm ，同一片电池上正面出现此类外形缺损数量不超过两处。同时不允许电池上 v 形缺口。
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