国际废旧电池处理方式
国际性废旧电池处理过程国际性上行驶的废旧电池处理过程大概有几种：干固掩埋、储放于废煤矿、综合利用。
1.干固掩埋、储放于废煤矿。
废旧电池通常都运到---有害、危害垃圾处理场，但这种做法不但花销很大并且还导致浪费，由于在其中还有许多能作原材料的有效化学物质。
2.综合利用。
(1)调质处理：法国有俩家生产加工运用旧充电电池的加工厂，巴特列克企业采用的方式 是将旧充电电池碾碎后送到炉内加温，这时候可获取挥传出的---，溫度更高时锌也挥发，它一样是---。铁和锰熔合后变成炼铁需要的锰有色金属。该加工厂1年可生产加工2000吨废旧电池，可得到780吨锰有色金属，400吨锌合金材料及3吨---。别家加工厂则是立即从充电电池中获取含铁，并将氧化锰、氧化锌、氧化铜和氧化镍等金属材料化合物做为金属材料废弃物立即售卖。但是，调质处理的方式 花销较高，法国还要求向每名充电电池消费者扣除小量废旧电池生产加工---型费。
(2)湿解决：马格德堡近郊区已经修建1个湿解决设备，这里除铅酸蓄电池外，各种充电电池均融解于---，随后依靠正离子环氧树脂从水溶液中获取各种各样金属材料，用这类方法得到的原材料比热处理工艺纯粹，因而在销售市场上市场价更高，并且充电电池中包括的各种各样化学物质有95%都能获取出去。湿解决可省掉快递分拣阶段(由于快递分拣是手工制作，会提升成本费)。马格德堡这套设备年生产能力达到7500吨，其成本费尽管比垃圾填埋方式 略高，但珍贵原材料不至于丢掉，报废硅料回收厂家，也不容易环境污染。(3)真空热处理法：德国阿尔特企业研发的真空热处理法也要---，但是这先必须在废旧电池中快递分拣出镍镉电池，废旧电池在真空泵中加温，在其中---快速挥发，就能将其收购，随后将剩下原材料碾碎，用磁体获取金属材料铁，再从剩下粉末状中获取镍和锰。
电池片的检验
一十三、印刷图型
主栅线：
---：主栅线容许有轻度断开、缺少、歪曲、突显，断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的5%，歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况（烧糊、变黄）
新的规范：主栅大小匀称，不容许有断开，缺少、歪曲及其突显。
b级：断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的10%，歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况（烧糊、变黄）
新的规范：主栅大小匀称，容许有断开，缺少总面积不超出主栅线总面积的5%，歪曲突显不超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况（烧糊、变黄）
c级：断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的20%，歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm，不容许有掉色状况
新的规范：主栅线：断开，缺少总面积不超出主栅线总面积的20%，歪曲、突显不超出一切正常部位的0.5mm，
副栅线：
---：副栅线容许大小不匀称，存有总宽超过0.13mm，回收电站拆卸硅料，低于18mm的副栅线，段栅线≤6条，硅料价格表，断开间距≤2mm，容许有轻度虚印、缺印，总面积低于电级占地面积的5%.
新的规范：副栅线清楚，容许有两根栅线存有断开，断掉总数≤3条，断掉间距≤0.5mm；不容许有一切虚印、粗点；不容许有掉色状况。
b级：容许大小不匀称，存有总宽≤0.25mm的副栅线，段栅线≤10条，断开间距≤2mm，容许有轻度虚印、缺印，总面积低于电级占地面积的10%.
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影响因素
1 ．频率
射频 pecvd 系统大都采用 50khz~13.56 mhz 的工业频段射频电源。较高频率（ >;4mhz ）沉积的氮化硅薄膜具有---的钝化效果和稳定性。
2 ．射频功率
增加 rf 功率通常会--- sin 膜的。但是，功率密度不宜过大，超过 1w/cm2 时器件会造成---的射频损伤。
3 ．衬底温度
pecvd 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能---氮化硅薄膜在hf 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有---的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。
4 ．气体流量
影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 sih4 。为了防止富硅膜，选择nh3/sih4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以---沉积的均匀性。
5 ．反应气体浓度
sih4 的百分比浓度及 sih4/nh3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及物化性质均有重大影响。
理想 si3n4 的 si/n ＝ 0.75 ，而 pecvd 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 sin 。因此，必须控制气体中的 sih4 浓度，不宜过高，并采用较高的 sin 比。除了 si 和 n 外， pecvd 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 sixnyhz 或 sinx :h 。
6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。
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