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电池片差别
太阳电池开始面世的是单晶硅太阳电池。硅是宇宙上极丰富多彩的这种原素，基本上满地常有硅的存有，百口莫辩取之不竭，回收抵债单晶硅，用硅来生产制造太阳电池，原材料可以说不缺。可是提炼出它却不易，因此大家在生产制造单晶硅太阳电池的一起，又科学研究了多晶硅太阳电池和非晶硅太阳电池，迄今商业服务经营规模生产制造的太阳电池，都还没跳出来硅的系列产品。我觉得能够生产制造太阳电池的半导体器件许多，廊坊单晶硅，随之原材料工业生产的发展趋势、太阳电池的种类将很多。现阶段已开展科学研究和研发的太阳电池，除硅系列产品外，也有---镉、---镓、铜铟硒等很多种类的太阳电池，不胜枚举，下列详细介绍几类较普遍的太阳电池。归类单晶硅太阳电池。
振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：---回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，el，---测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，---偿还，返工，光伏模块回收等。
刻蚀工艺
刻蚀目的
将硅片边缘的带有的磷去除干净，避免 pn 结短路造成并联电阻降低。
刻蚀原理
采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应， 采用高频辉光放电反应，使反应气体---成活性粒子，如原子或各种游离基，这些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应，形成挥发性生成物四---硅而被去除。
化学公式： cf 4 +sio 2 =sif 4 +co 2
工艺流程
预抽，主抽，送气，辉光，抽空，清洗，预抽，主抽 ，充气。
影响因素
1. 射频功率
射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区（耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加。
射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。
2. 时间
刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合。
刻蚀时间过短：刻蚀不充分，没有把边缘鳞去干净， pn 结依然有可能短路造成并联电阻降低。
4. 压力
压力越大，气体含量越少，参与反应的气体也越多，刻蚀也越充份。
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电池片的检测
一、检测的标准
1．高于800lx的直射下，间距电池片30-50cm的间距，回收单晶硅板，看着方位垂直平分电池片表层观查。
二、检测的方式 1、取放电池片时要轻拿小心轻放，125的电池片维持在1-2的检验速率，150及156的电池片要一整片一整片的开展查验。
三、检验新项目1．色调偏色2．绒面色素斑3．亮斑4．裂痕、裂缝及破孔5．弯折的6．崩边、豁口、掉角7．印刷偏位8．ttv9．铝珠、铝苞10．包装印刷图型11．跑模12．尺寸
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