回收实验抛光片价格如何计算？

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：---回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，el，---测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，---偿还，返工，光伏模块回收等。

pecvd

pe 目的

在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。

其化学反应可以简单写成 ： sih 4 +nh 3 =sin:h+3h 2 。

基本 原理

pecvd 技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加---体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 pecvd 方法区别于其它 cvd 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的---能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性---的各种化学基团，因而---降低 cvd 薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的 cvd 过程得以在低温下实现。  

基本特征

1. 薄膜沉积工艺的低温化（ < 450 ℃ ）。

2. 节省能源，降低成本。

3. 提高产能。

4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。

扩散方式

pe 设备有两类：平板式和管式。

按反应方式分为：直接式（岛津）和间接式（ roth ＆ rau  ）。

直接式：基片位于一个电极上，直接接触等离子体。  

间接式：基片不接触激发电极。 在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 nh3 ，而 sih4 直接进入反应腔。间接 pecvd 的沉积速率比直接的要高很多，这对---生产尤其重要。

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四、 铝珠：

铝珠产生的---原因是过烧，铝的熔点是660℃，当铝受热超过这一温度时，铝颗粒熔化形成了铝珠。通常，烧结炉的设置温度都远高于这一温度，这里所说的660℃是指电池片表面实际感受的温度，设置的温度虽高，由于烧结炉带速很快，铝层实际感受到的温度是远低于设置温度的。

解决这一问题的办法是降下烧结区温度，或是加快烧结炉的带速，减少热量的给予。此法效果非常明显，铝珠可得到有效控制。另一方面过分降温会损失电池片的电性能数据，那么降到什么程度呢，我们的经验是，降温到电池片背面手感略微粗糙即可。

五、 铝刺：

1、 背场印刷表面不均匀:检查刮条的平整度；

2、 烧结网带不洁净：清洗网带或对忘带进行打磨；

3、 烧结网带抖动---：由设备人员来调整网带；

4、 烧结温度过高：不影响电性能的情况下降下烧结温度；