振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:---回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,el,---测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,---偿还,返工,光伏模块回收等。
2. 短路电流
在一定的温度和辐照条件下,太阳电池在端电压为零时的输出电流,通常用 i sc 来表示。
将 pn 结短路( v=0 ),因而 if=0 ,这时所得的电流为短路电流 isc ,显然有: i sc = i l , i sc 与太阳电池的面积大小有关,面积越大, i sc 越大。 i sc 与入射光的辐照度成正比。
3. 功率点
在太阳电池的伏安特性曲线上对应大功率的点,又称佳工作点。
4. 工作电压
太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电压。通常用 v m 表示
5. 工作电流
太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电流。通常用 i m 表示
6. 转换效率
受光照太阳电池的大功率与入射到该太阳电池上的全部辐射功率的百分比。 η = v m i m / a t
p in 其中 v m 和 i m 分别为大输出功率点的电压和电流, a t 为太阳电池的总面积, p in 为单位面积太阳入射光的功率。
7. 填充因子
太阳电池的大功率与开路电压和短路电流乘积之比,通常用 ff 表示: ff = i m v m / i sc v oc
i sc v oc 是太阳电池的---输出功率, i m v m 是太阳电池的大输出功率,填充因子是表征太阳电池---劣的一个重要参数。
8. 电流温度系数
在规定的试验条件下,被测太阳电池温度每变化 1 0 c ,太阳电池短路电流的变化值,通常用 α 表示。对于一般晶体硅电池 α = +0.1%/ 0 c 。
9. 电压温度系数
在规定的试验条件下,被测太阳电池温度每变化 1 0 c ,太阳电池开路电压的变化值,通常用 β 表示。对于一般晶体硅电池 β = - 0.38%/ 0 c 。
振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:---回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,el,电池板回收价值,---测试,二手,旧工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,---偿还,返工,光伏模块回收等。
晶体硅电池片
7 ) 细栅线印刷:用橡皮在同一位置来回擦 1 0 次,栅线不脱落则认为合格。
8 ) 减反射膜 与基体材料的附着强度的测试采用胶带试验测定粘合性的方法,胶带附着强度不小于 44n/mm ,减反射膜不脱落。
9 ) 热循环试验 : 经 -40 ℃ ~ 85 ℃ 温度循环 5 次后,电池的外观性能符合要求,电池的转换效率衰减不超过 3% , 电极应无变色现象 ;
10 ) 电极的附着强度和电极 / 焊点的抗拉强度试验采用同一方法,如下图所示。将一根长 150mm ,宽 1.7mm 的焊锡条引线焊接在电池电极上,焊接长度为 10mm ,焊接以不虚焊为准,在与焊接面成 45 °角对引线施加拉力,逐渐加大拉力,在拉力不低于 2.49n 的情况下持续 10s 以上。
5. 注意事项:
1) 开封时,不能用刀片从直接碰到电池片的地方划,应选择从硬隔板处下刀。
2) 不能用裸手接触电池片(手上有汗液,会破坏 pn 结,而汗液中含有 nacl ,会和表面的减反射膜产生反应,导致短路漏电,并降低电池片和eva 的粘接强度)
3) 要轻拿轻放
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stf 印制:
a 级:
标识要有虚印、粗印现象(字母线宽度应小于 0.22mm )但仍可辨识时作为 a 级。若标识存在缺印但仍可辨识时,按字母高度的 1/3 判定,缺失长度小于字母高度 1/3 。
b 级:
标识要有虚印、粗印现象,字母线宽度应小于 0.22mm ,但仍可辨识时,如实心“ p ”,若标识存在缺印但仍可辨识时,按字母高度的
1/3 判定,缺失长度小于字母高度 1/3 。
c 级:
若字母变形或无法辨识时直接降为 c 级。
新的标准与旧的相同
缺陷片:
1. 主栅线或副栅线或背电极或背电场超出 c 级降级片的要求时,但仍有利用价值的片子。
2. 由于存储不当造成成电极氧化时,直接以报废片处理
3. 仅印刷烘干而没有经过烧结的电池片,如果还有利用价值,则租铺位缺陷片处理
4. 完全未印制背电场的电池片作缺陷片处理。
5. 叠片仍有利用价值的作为缺陷片,如果全叠片则作为报废片处理。
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