随州发电板回收企业

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刻蚀工艺

刻蚀目的

将硅片边缘的带有的磷去除干净，避免 pn 结短路造成并联电阻降低。

刻蚀原理

采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应， 采用高频辉光放电反应，使反应气体---成活性粒子，如原子或各种游离基，这些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应，形成挥发性生成物四---硅而被去除。

化学公式： cf 4 +sio 2 =sif 4 +co 2

工艺流程

预抽，主抽，送气，辉光，抽空，清洗，预抽，主抽   ，充气。

影响因素

1. 射频功率

射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区（耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加。

射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。

2. 时间

刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复合。

刻蚀时间过短：刻蚀不充分，没有把边缘鳞去干净， pn 结依然有可能短路造成并联电阻降低。

4.   压力

压力越大，气体含量越少，参与反应的气体也越多，刻蚀也越充份。

晶硅太阳能光伏板的制做全过程 

3、去磷硅玻璃该加工工艺用以太阳能电池片生产加工全过程中，根据有机化学浸蚀法也即把硅片放到---水溶液中侵泡，使其造成放热反应转化成可溶的络和物---硅酸，以除去外扩散制结后在硅片表层产生的一层层磷硅玻璃。在外扩散全过程中，pocl3与o2反映转化成p2o5淀积在硅片表层。p2o5与si反映又转化成sio2和磷分子，那样就在硅片表层产生一层层带有磷原素的sio2，称作磷硅玻璃。去磷硅玻璃的机器设备通常由本身、清理槽、伺服电机驱动器系统软件、机械手臂、电气系统和全自动配酸系统软件等一部分构成，关键能源有---、n2、空气压缩、纯净水，热排风系统和污水。---可以融解sio2由于---与sio2反映转化成容易挥发的四---硅汽体。若---过多，反映转化成的四---硅会深化与---反映转化成可溶的络和物---硅酸。 

4、低温等离子刻蚀因为在外扩散全过程中，即便选用背对背外扩散，硅片的全部表层包含边沿都将难以避免地外扩散上磷。pn结的反面所搜集到的光生电子器件会顺着边沿外扩散有磷的地区流进pn结的反面，而导致短路故障。因而，务必对太阳电池附近的夹杂硅开展刻蚀，以除去充电电池边沿的pn结。一般 选用低温等离子刻蚀技术性进行这一加工工艺。低温等离子刻蚀是在底压情况下，反映汽体cf4的孕妈分子结构在频射输出功率的激起下，造成电离并产生等离子技术。等离子技术是由感应起电的电子器件和正离子构成，反映波导管中的汽体在电子器件的碰撞下，除开转化成正离子外，还能---吸收动能并产生很多的特---基团。特---反映基团因为外扩散或是在静电场功效下抵达sio2表层，在那边与被刻蚀原材料表层产生放热反应，并产生挥发物的反映反应物摆脱被刻蚀化学物质表层，被超滤装置抽出来波导管。