振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:---回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,el,---测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,---偿还,返工,光伏模块回收等。
影响因素
1. 温度
温度 t 越高,扩散系数 d 越大,扩散速度越快。
2. 时间
对于恒定源:时间 t 越长结深越深,但表面浓度不变。
对于限定源:时间 t 越长结深越深,表面浓度越小。
3. 浓度
决定浓度是因素:氮气流量、源温。
表面浓度越大,扩散速度越快。
4. 第三组元
主要是掺硼量对扩散的影响,杂质增强扩散机制。在二元合金中加入第三元素时,扩散系数也会发生变化。掺硼量越大,扩散速率越快。即电阻率越小,越容易扩散。
控制点
方块电阻,外观,单片均匀性,整管均匀性。
方块电阻: 表面为正方形的半导体薄层在电流方向所呈现的电阻。 r= 电阻率 *l/s, 对方块硅片,长度等于宽度,则 r= 电阻率 / 厚度,方块电阻~ ( 1/ ns*xj) ns :电化学浓度, xj :扩散结深。
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烧结
烧结目的
干燥硅片上的浆料,燃尽浆料的有机组分,使浆料和硅片形成---的欧姆接触。
烧结对电池片的影响
银浆的烧结很重要,对电池片电性能影响主要表现在 串联电阻和并联电阻 ,即 ff 的变化。
铝浆烧结的目的使浆料中的---完全挥发,并形成完好的铝硅合金和铝层。局部的受热不均和散热不均可能会导致起包,---的会起铝珠。背面场经烧结后形成的铝硅合金,铝在硅中是作为 p 型掺杂,它可以减少金属与硅交接处的少子复合,从而提高 开路电压和短路电流 ,---对红外线的响应。
烧结过程
1. 室温 ~300 度,溶剂挥发。
2.300~500度,有机树脂分解排出,需要氧气。
3.400 度以上,玻璃软化。
4.600 度以上,玻璃与减反层反应,实现导电。
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刻蚀工艺
刻蚀目的
将硅片边缘的带有的磷去除干净,避免 pn 结短路造成并联电阻降低。
刻蚀原理
采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应, 采用高频辉光放电反应,使反应气体---成活性粒子,如原子或各种游离基,这些活性粒子扩散到硅片边缘,在那里与硅进行反应,形成挥发性生成物四---硅而被去除。
化学公式: cf 4 +sio 2 =sif 4 +co 2
工艺流程
预抽,主抽,送气,辉光,抽空,清洗,预抽,主抽 ,充气。
影响因素
1. 射频功率
射频功率过高:等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤,导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区(耗尽层)造成的损伤会使得结区复合增加。
射频功率太低:会使等离子体不稳定和分布不均匀,从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足,导致并联电阻下降。
2. 时间
刻蚀时间过长:刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大,时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区,从而导致损伤区域高复合。
刻蚀时间过短:刻蚀不充分,没有把边缘鳞去干净, pn 结依然有可能短路造成并联电阻降低。
4. 压力
压力越大,气体含量越少,参与反应的气体也越多,刻蚀也越充份。
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