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刻蚀工艺
刻蚀目的
将硅片边缘的带有的磷去除干净,避免 pn 结短路造成并联电阻降低。
刻蚀原理
采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应, 采用高频辉光放电反应,使反应气体---成活性粒子,返修光伏组件回收,如原子或各种游离基,这些活性粒子扩散到硅片边缘,在那里与硅进行反应,形成挥发性生成物四---硅而被去除。
化学公式: cf 4 +sio 2 =sif 4 +co 2
工艺流程
预抽,主抽,送气,辉光,抽空,清洗,预抽,主抽 ,充气。
影响因素
1. 射频功率
射频功率过高:等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤,导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区(耗尽层)造成的损伤会使得结区复合增加。
射频功率太低:会使等离子体不稳定和分布不均匀,从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足,导致并联电阻下降。
2. 时间
刻蚀时间过长:刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大,时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区,从而导致损伤区域高复合。
刻蚀时间过短:刻蚀不充分,没有把边缘鳞去干净, pn 结依然有可能短路造成并联电阻降低。
4. 压力
压力越大,回收二手旧光伏组件,气体含量越少,参与反应的气体也越多,刻蚀也越充份。
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电池片差别
太阳电池开始面世的是单晶硅太阳电池。硅是宇宙上极丰富多彩的这种原素,基本上满地常有硅的存有,百口莫辩取之不竭,用硅来生产制造太阳电池,原材料可以说不缺。可是提炼出它却不易,因此大家在生产制造单晶硅太阳电池的一起,又科学研究了多晶硅太阳电池和非晶硅太阳电池,迄今商业服务经营规模生产制造的太阳电池,都还没跳出来硅的系列产品。我觉得能够生产制造太阳电池的半导体器件许多,随之原材料工业生产的发展趋势、太阳电池的种类将很多。现阶段已开展科学研究和研发的太阳电池,除硅系列产品外,也有---镉、---镓、铜铟硒等很多种类的太阳电池,不胜枚举,下列详细介绍几类较普遍的太阳电池。归类单晶硅太阳电池。
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stf 印制:
a 级:
标识要有虚印、粗印现象(字母线宽度应小于 0.22mm )但仍可辨识时作为 a 级。若标识存在缺印但仍可辨识时,按字母高度的 1/3 判定,缺失长度小于字母高度 1/3 。
b 级:
标识要有虚印、粗印现象,字母线宽度应小于 0.22mm ,但仍可辨识时,如实心“ p ”,若标识存在缺印但仍可辨识时,按字母高度的
1/3 判定,缺失长度小于字母高度 1/3 。
c 级:
若字母变形或无法辨识时直接降为 c 级。
新的标准与旧的相同
缺陷片:
1. 主栅线或副栅线或背电极或背电场超出 c 级降级片的要求时,但仍有利用价值的片子。
2. 由于存储不当造成成电极氧化时,直接以报废片处理
3. 仅印刷烘干而没有经过烧结的电池片,如果还有利用价值,则租铺位缺陷片处理
4. 完全未印制背电场的电池片作缺陷片处理。
5. 叠片仍有利用价值的作为缺陷片,如果全叠片则作为报废片处理。
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