呼和浩特太阳能板回收电话全国上门回收“本信息长期有效”

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    2020-12-23

孟先生
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电池片流程


扩散制结: 太阳能电池需要一个大面积的 pn 结以实现光电转化, 而扩散炉就是制造太阳能电池p-n 结的---设备。扩散用---为扩散源。在 830 度的高温下用氮气将---带入石英容器,通过---和硅片进行反应,得到磷离子,通过硅原子质检的空隙向硅片内扩散,形成 p-n 结。

需注意 :

石英舟一舟可放置 500 片, 扩散面需跟制绒面在同一面上,扩散为单面扩散,工艺流程为 83 分钟。

湿法刻蚀: 利用 hno3 和 hf 的混合液体对扩散后硅片下表面和边缘进行腐蚀 , 去除边缘的 n 型硅 , 使得硅片的上下表---互绝缘。

需注意 : 刻蚀分为干湿两法 ,目前采用湿法,刻蚀后需做亲水性测试。

如何判断亲水性是否---?

用纯水滴在硅片上看硅片上的扩散面积。机械臂流片需要返工因臭氧层丢失。

pevcd:   镀减反射膜可以有效降低光的反射 .

需注意 : 石墨舟一周可放置 240 片硅片,流程为 50 分钟, 在此阶段会发生色斑,色差等问题。

丝网印刷 : 把带有图案的模版附着于丝网上进行印刷   , 通常丝网由尼龙、聚酯、丝绸或金属网制作而成  , 承印物直接放在带有模版的丝网下面,浆料在刮刀的挤压下穿过丝网间的网孔  , 只有图像部分能穿过,印刷到承印物上印刷流程为背电极——背电场——正电极。

需注意 : 断栅 问题会出现在此工艺段。也是电池片的后一大工艺段。










电池片的检验

一十三、印刷图型 

主栅线: 

---:主栅线容许有轻度断开、缺少、歪曲、突显,断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的5%,歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm,不容许有掉色状况(烧糊、变黄) 

新的规范:主栅大小匀称,不容许有断开,缺少、歪曲及其突显。 

b级:断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的10%,歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm,不容许有掉色状况(烧糊、变黄) 

新的规范:主栅大小匀称,容许有断开,缺少总面积不超出主栅线总面积的5%,歪曲突显不超出一切正常部位的0.2mm,不容许有掉色状况(烧糊、变黄) 

c级:断开和缺少总面积不超出主栅线总面积的20%,歪曲突显部超出一切正常部位的0.2mm,不容许有掉色状况 

新的规范:主栅线:断开,缺少总面积不超出主栅线总面积的20%,歪曲、突显不超出一切正常部位的0.5mm, 

副栅线: 

---:副栅线容许大小不匀称,存有总宽超过0.13mm,低于18mm的副栅线,段栅线≤6条,断开间距≤2mm,容许有轻度虚印、缺印,总面积低于电级占地面积的5%.

新的规范:副栅线清楚,容许有两根栅线存有断开,断掉总数≤3条,断掉间距≤0.5mm;不容许有一切虚印、粗点;不容许有掉色状况。 

b级:容许大小不匀称,存有总宽≤0.25mm的副栅线,段栅线≤10条,断开间距≤2mm,容许有轻度虚印、缺印,总面积低于电级占地面积的10%. 






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九、崩边、豁口、掉角 

充电电池边沿崩边喝豁口 

---:其长短≤3mm,---1≤0.5mm,总数≤2处 

b级:其长短≤5mm,---1≤1.0mm,总数≤3处 

四边豁口 

---:规格≤1.5*1.5mm,总数≤1处 

b级:规格≤2.0*2.0mm,总数≤1处 

注:多晶硅---和b级均不容许有三边形豁口和锐利行豁口,左右豁口都不能过电级(主栅线,副栅线) 

超出b级范畴 

多晶硅电池片超出了b级范畴,就立即做为缺点片。 

多晶电池片超出了b级范畴,如合乎c级需切角片的规定,能作c级需切角片多

经容许边缘有豁口(包含三边形豁口和锐利行豁口),对边缘豁口听规定给出 

125任意边缘破损≤18*18mm 

150任意边缘破损≤8*8mm 

156任意边缘破损≤14*14mm注:多晶电池片超过了c级片的规定,做为缺点片。---粉碎,无运用使用价值的做为报费片新的规范与旧的同样。




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