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影响因素
1 .频率
射频 pecvd 系统大都采用 50khz~13.56 mhz 的工业频段射频电源。较高频率( >;4mhz )沉积的氮化硅薄膜具有---的钝化效果和稳定性。
2 .射频功率
增加 rf 功率通常会--- sin 膜的。但是,功率密度不宜过大,超过 1w/cm2 时器件会造成---的射频损伤。
3 .衬底温度
pecvd 膜的沉积温度一般为 250 ~ 400 ℃ 。这样能---氮化硅薄膜在hf 中有足够低的腐蚀速率,并有较低的本征压力,从而有---的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜,本征应力很大且为张应力,而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。
4 .气体流量
影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 sih4 。为了防止富硅膜,选择nh3/sih4=2~20 (体积比)。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率,通常采用较大的气体总流量,以---沉积的均匀性。
5 .反应气体浓度
sih4 的百分比浓度及 sih4/nh3 流量比,对沉积速率、氮化硅膜的组分及物化性质均有重大影响。
理想 si3n4 的 si/n = 0.75 ,而 pecvd 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化,但多为富硅膜,可写成 sin 。因此,必须控制气体中的 sih4 浓度,不宜过高,并采用较高的 sin 比。除了 si 和 n 外, pecvd 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子,即 sixnyhz 或 sinx :h 。
6 .反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。
振鑫焱光伏科技有限责任公---期购置:天价回收硅片,电池片,初中级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳电池,太阳能组件,太阳能光伏板,顾客撤离,退级,库存量,el,欠佳检测,2手,旧,工程项目,拆装,道路路灯,拆卸发电厂,拆装,人造板,层压板,---限结晶硅,多晶硅,单晶硅,试验板,负债---,返修,太阳能发电控制模块收购等。
报废片:
超过缺点片的规定常出---的印刷图型出现异常的缘故表明
1、电级掉下来(叠片):硅片与料浆没产生充足的铝合金层换句---沒有产生好的触碰。
2、断开:有物品粘在钢网上,导致堵网。解决方案:擦洗钢网,擦洗堵网地区。
3、跑模:钢网有系统漏洞解决方案:较小且没有细栅线上线下用封网浆将小圆孔封死就能。很大时务---拆换钢网。另留意跑模干万不可以漏在反面电级,那样会使rsh(并联电阻)过低。
4、粗点:钢网损伤,刮条不整平解决方案:换钢网,换刮条。
5、虚印:有时候会因为原料缘故造成如:据痕、薄厚不匀。其次跟刮条和钢网也是关联。解决方案:换钢网或换刮条。
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电池片流程
1、 车间段位构成
whq :硅片为太阳能电池片的载体,硅片的决定了电池片的转换效率。而该工序则是对硅片的来料检测,主要是包括厚度, ttv ,电阻率,外观 (破片,缺角,孔洞,脏污)
需注意 :
1) 切割方向会厚薄不均,放片时需 180 度错落放置以---放入载体厚薄均匀,切割方向需要垂直与印刷 细 栅方向,预防水波纹出现。
2) 线痕: 单线痕
密集线痕
3 )原硅片因切割后因有清洗所以会有粘度导致原硅片粘连,放置时需轻微摇晃。
制绒: 目的:去除表面损伤层,对表面进行凹凸处理 ,清楚表面硅酸钠,氧化物,油污以及金属。以提高光电转换率。
需注意 :
减重 ,活性不均匀会影响到后面 pevcd 工序使硅片出现问题制绒过程中, 制绒面朝下,装入载体,载体单孔面为制绒面。在制品时间为两小时,两小时内要及时送入下一工序。
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