种子是慢慢浮出熔化物的，种子和熔化物间的表面张力在子晶表面上形成一层薄的硅膜，然后冷却。冷却时，已熔化硅中的原子会按照子晶的晶体结构自我定向。硅锭完全长大时，它的初始直径要比终晶圆片要求的直径大一点。
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抛光(化学机械抛光，chemical mechanical polishing) 生产过程中的工艺是抛光晶圆片，此工艺在超净间中进行。超净间从一到一万分级，这些级数对应于每立方米空间中的颗粒数。
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抛光过程分为两个步骤，切削和终抛光。这两步都要用到抛光垫和抛光浆。切削过程是去除硅上薄薄的一层，以生产出表面没有损伤的晶圆片。终抛光并不去除任何物质，只是从抛光表面去除切削过程中产生的微坑。
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