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硅片化学清洗是为了除去原子、离子不可见的污染,方法较多,有溶剂萃取、酸洗(---、---、王水、各种混合酸等)和等离子体法等。其中双氧水体系清
洗方法效果好,环境污染小。一般方法是将硅片先用成分比为h2so4:h2o2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的强氧化性,将有机物分解而除去;,
由于h2o2的氧化作用和---的溶解,以及氯离子的络合性,许---属生成溶于水的络离子,从而达到清洗的目的。
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硅片物理清洗有三种方法。刷洗或擦洗:可除去颗粒污染和大多数粘在片子上的薄膜。高压清洗:是用液体喷射片子表面,喷嘴的压力---几百个---
压。高压清洗靠喷射作用,片子不易产生划痕和损伤。但高压喷射会产生静电作用,靠调节喷嘴到片子的距离、角度或加入防静电剂加以避免。超声波清洗:超声
波声能传入溶液,靠气蚀作用洗掉片子上的污染。但是,从有图形的片子上除去小于 1微米颗粒则比较困难。将频率提高到频频段,清洗效果---。
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