硅片的预备处理:
(1)硅片切割:依据需要尺寸,用玻璃刀开展硅片的切割。实际操作时必须在清洁的自然环境中,并带---手套,以防止环境污染硅片。先往桌面上铺平一张整洁的称量纸,用镊子当心夹紧硅片的边沿,将其反面朝上(明亮面)放于称量纸上;再取一张整洁的称量纸遮盖于硅片表面,空出硅片上必须切割的部分;将切割型的直尺放于遮盖硅片的纸上,用手轻轻地压着直尺;直尺应不超出待切割侧的纸张,以避免直尺环境污染硅片;切割时玻璃刀沿直尺稍用力平行面拖动,应用的能量以能在硅片表面产生一清楚的刮痕,但不会将硅片割开为度;如对块状硅片开展横竖向数次切割,就能在硅片表面产生网格图;将硅片包囊于称量纸内,(防止胶手套和硅片表面立即触碰)用手沿网格线轻轻地掰动就能产生尺寸适合的中小型硅片;组件的倾角和纬度有关,以华北地区为例,组件倾角一般在30度左右。将切割好的硅片用镊子小心夹紧,放于整洁的塑胶培养皿内,反面朝上,并且用封口膜将培养皿封住,放于整洁处储存备用。
留意:一整块硅片取下后禁止放入硅片盒,应再行储存。
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硅基片表面的---化处理
取出 氨化烧杯( ), 先用无水---清洗 2 次, 然后倒入 20ml 无水---,将步骤( 2)反应后的获得的---化硅片转移到氨化烧杯中,用无水---清洗 3 次。清洗时同步骤(2) ,使硅片处于---环境中;同一---方在一次“双反”裁决仍处执行过程中,再次针对同一产品申请“双反”调查,在贸易救济调查中实属罕见。清洗完成后倒掉---,迅速加入 3-------三乙------( aptes)和无水---的混合液(体积比为 1: 15),或者先加 15ml 无水---,然后用移液管加 1mlaptes,摇床上振摇反应 2 h。该反应结束后可以使硅片表面---化。
刻蚀原理
硅的湿法刻蚀是指利用含有腐蚀剂的溶液对硅进行腐蚀 , 可分为各向同性腐蚀技术和各向---腐蚀技术。各向同性腐蚀是指各个晶向上的腐蚀速率相同 , 衬底和表面取向的不同对腐蚀速率的影响不大。 各向---腐蚀是指硅的不同晶面在某些特定的腐蚀液中被刻蚀的速率不同 , 导致各个晶向的腐蚀速率不同。现出结构边缘平滑的现象。各向同性腐蚀液常用 hf、 hn o 3 和 h2o(ch3cooh) , 用这些腐蚀液很难实现选择性腐蚀 , 并且很难能找到能够长时间承受腐蚀的材料。 各向---腐蚀液包括无机腐蚀剂和有机腐蚀剂两种 , 其中无机腐蚀剂为 nh4oh、 koh 和 naoh 等碱性溶液 , 有机腐蚀剂为 tmah 、epw( ---二酚、乙二胺、水 ) 和联胺。39元/千瓦时的华能则落选机电产品进出口商会表示,本次调查、初裁程序中均存在重大瑕疵。
通常情况下选用 koh、 ( ch3) 2choh ( 也叫 ipa) [ 8] 和水作为各向---腐蚀液 ,则根据硅在腐蚀液中的腐蚀机制可表示如下:
koh+ h3o= k++2oh- +h +
si+ 2oh -+ 4h 2o=si( oh)62-
si( oh) 6 2- + 6( ch 3) 2ch oh= [ si( oc3h7 ) ] 62- + 6h 2o
然后,络合产物与作用生成可溶解。
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