根据理论分析，双结硅基薄膜元件的发电性能应优于晶体硅元件。事实上，由于技术原因，薄膜电站相同功率所需的太阳能电池组件数量远远大于普通晶体硅电站，因此该电站的系统损耗大于普通晶体硅电站。因此，从实际数据来看，如果排除系统损耗因素的影响，双结硅基薄膜模块的单位日照时间发电量高于晶体硅。然而，随着电厂规模的扩大，膜式电厂的系统损耗也会由于元件数量的影响而增加，导致实际发电量较低。事实上，太阳能光伏电站的功率输出受到许多因素的影响。除了自然环境，设备的异常运行也会对产量产生很大影响。因此，测量数据的差异不能完全归因于组件的性能。
除了零部件，其他配套产品的成本也较低。由于晶体硅模块的单位面积输出功率大约是双结硅基薄膜模块的2倍，回收二手降级组件，所以用于建造相同尺寸的太阳能光伏电站的晶体硅模块的量大约是双结硅基薄膜模块的一半，并且在使用晶体硅模块的电站中所需的电气设备和电缆的消耗比使用双结硅基薄膜模块的电站小得多。(3)占地面积较小。为了建造具有相同容量的发电站，由于所需的晶体硅部件的数量远远少于双结硅基薄膜部件的数量，因此使用晶体硅部件的光伏发电站相应地比双结硅基薄膜部件占据更少的土地面积，从而使得系统成本更高。
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