刻蚀原理
硅的湿法刻蚀是指利用含有腐蚀剂的溶液对硅进行腐蚀 ， 可分为各向同性腐蚀技术和各向---腐蚀技术。各向同性腐蚀是指各个晶向上的腐蚀速率相同 ， 衬底和表面取向的不同对腐蚀速率的影响不大。 各向---腐蚀是指硅的不同晶面在某些特定的腐蚀液中被刻蚀的速率不同 ， 导致各个晶向的腐蚀速率不同。现出结构边缘平滑的现象。各向同性腐蚀液常用 hf、 hn o 3 和 h2o(ch3cooh) ， 用这些腐蚀液很难实现选择性腐蚀 ， 并且很难能找到能够长时间承受腐蚀的材料。以光电效应工作的薄膜式太阳能电池为主流，而以光化学效应工作的湿式太阳能电池则还处于萌芽阶段。 各向---腐蚀液包括无机腐蚀剂和有机腐蚀剂两种 ， 其中无机腐蚀剂为 nh4oh、 koh 和 naoh 等碱性溶液 ， 有机腐蚀剂为 tmah 、epw( ---二酚、乙二胺、水 ) 和联胺。
通常情况下选用 koh、 ( ch3) 2choh ( 也叫 ipa) [ 8] 和水作为各向---腐蚀液 ，则根据硅在腐蚀液中的腐蚀机制可表示如下：
koh+ h3o= k++2oh- +h +
si+ 2oh -+ 4h 2o=si( oh)62-
si( oh) 6 2- + 6( ch 3) 2ch oh= [ si( oc3h7 ) ] 62- + 6h 2o
然后，络合产物与作用生成可溶解。
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多晶硅按照纯度分类，可以分为冶金级、太阳能级、电子级。
1、冶金级硅:一般含硅为90%~95%以上，有的可以---99.8%以上。
2、太阳能级硅:一般认为含硅在99.99%~99.9999%，也就是4~6个9。
3、电子级硅:一般要求含硅6个9，纯的达到9~11个9.
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