振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,el,---测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,---偿还,返工,光伏模块回收等。
影响因素
1. 温度
温度 t 越高,扩散系数 d 越大,扩散速度越快。
2. 时间
对于恒定源:时间 t 越长结深越深,但表面浓度不变。
对于限定源:时间 t 越长结深越深,表面浓度越小。
3. 浓度
决定浓度是因素:氮气流量、源温。
表面浓度越大,扩散速度越快。
4. 第三组元
主要是掺硼量对扩散的影响,杂质增强扩散机制。在二元合金中加入第三元素时,扩散系数也会发生变化。掺硼量越大,扩散速率越快。即电阻率越小,越容易扩散。
控制点
方块电阻,外观,单片均匀性,整管均匀性。
方块电阻: 表面为正方形的半导体薄层在电流方向所呈现的电阻。 r= 电阻率 *l/s, 对方块硅片,长度等于宽度,则 r= 电阻率 / 厚度,方块电阻~ ( 1/ ns*xj) ns :电化学浓度, xj :扩散结深。
振鑫焱光伏科技有限责任公---期购置:天价回收硅片,电池片,初中级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳电池,太阳能组件,太阳能光伏板,顾客撤离,退级,库存量,el,欠佳检测,2手,旧,工程项目,拆装,道路路灯,拆卸发电厂,拆装,人造板,层压板,---限结晶硅,多晶硅,单晶硅,试验板,负债---,返修,太阳能发电控制模块收购等。
九、崩边、豁口、掉角
充电电池边沿崩边喝豁口
---:其长短≤3mm,---1≤0.5mm,总数≤2处
b级:其长短≤5mm,---1≤1.0mm,总数≤3处
四边豁口
---:规格≤1.5*1.5mm,总数≤1处
b级:规格≤2.0*2.0mm,总数≤1处
注:多晶硅---和b级均不容许有三边形豁口和锐利行豁口,左右豁口都不能过电级(主栅线,副栅线)
超出b级范畴
多晶硅电池片超出了b级范畴,就立即做为缺点片。
多晶电池片超出了b级范畴,如合乎c级需切角片的规定,能作c级需切角片多
经容许边缘有豁口(包含三边形豁口和锐利行豁口),对边缘豁口听规定给出
125任意边缘破损≤18*18mm
150任意边缘破损≤8*8mm
156任意边缘破损≤14*14mm注:多晶电池片超过了c级片的规定,做为缺点片。粉碎,无运用使用价值的做为报费片新的规范与旧的同样。
振鑫焱光伏科技有限责任公---期购置:天价回收硅片,电池片,初中级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳电池,太阳能组件,太阳能光伏板,顾客撤离,退级,库存量,el,欠佳检测,2手,旧,工程项目,拆装,道路路灯,拆卸发电厂,拆装,人造板,层压板,---限结晶硅,多晶硅,单晶硅,试验板,负债---,返修,太阳能发电控制模块收购等。
3、界定
3.1钝性豁口豁口样子展现为沿边沿轻缓衔接,并不是向管理中心深层次的情况。
3.2v形豁口豁口样子展现为向管理中心锐利深层次的样子,相近英文字母“v”。
4、规定
4.1设计方案和构造4.1.1pcb原材料充电电池的pcb原材料就是指单晶硅片或多晶硅片,应合乎有关标准的要求。
4.1.2电级
4.1.2.1电级图型详细电级图型规格及样子应产成品详尽标准中要求。4.1.2.2电级应无掉色状况(如---橡胶造成的掉色)。4.1.2.3电级的导电率应产成品详尽标准中要求。
4.1.2.4电级的可焊性应产成品详尽标准中要求。
4.1.3铝背场4.1.3.1选用铝背场总体设计的充电电池,因为反面铝膜造成的充电电池弯折形变应产成品的详尽标准中要求。
4.1.3.2反面铝膜与pcb原材料的粘附抗压强度应产成品的详尽标准中要求。
4.1.3.3反面铝膜的突起高宽比应产成品详尽标准要求。铝膜图型详细,图型偏移应产成品详尽标准中要求。
4.1.3.4反面铝膜的导电率应产成品详尽标准中要求。
4.1.4减反射膜选用减反射膜设计方案构造的充电电池,减反射膜与pcb原材料的粘附抗压强度选用5.1.4要求的方式 开展检验后,减反射膜不掉下来。
4.1.5规格表1和表2要求了典型性充电电池的规格规定,别的充电电池的规格规格型号规定应产成品详尽标准中要求。
联系我们时请一定说明是在100招商网上看到的此信息,谢谢!
本文链接:https://tztz100000089630.zhaoshang100.com/zhaoshang/265869027.html
关键词: 硅片回收/回收硅片 - 电池片回收电池片 - 多晶硅/单晶硅 - 太阳能电池板 - 光伏组件回收