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单晶硅片
当今开发设计得更快的这种太阳电池,它的组成和生产工艺流程已定形,商品已普遍用以宇宙空间和路面设备。这类太阳电池以高纯度的单晶硅棒为原材料,纯净度规定99.999%。以便降低成本成本费,如今路面运用的太阳电池等选用太阳能发电级的单晶硅棒,原材料性能参数有一定的放开。有的也可应用集成电路工艺生产加工的头尾料和废次单晶硅原材料,历经复拉做成太阳电池型的单晶硅棒。将单晶硅棒切一片,通常片厚约0.3mm。硅片历经成型、研磨抛光、清理等工艺流程,做成待生产加工的原材料硅片。生产加工太阳电池片,先要在硅片上夹杂和外扩散,通常夹杂物为微量分析的硼、磷、锑等。外扩散是在石英管做成的高溫扩散炉中开展。那样就在硅片上产生p/ftt>;n 结。然后采用丝网印刷法,将配好的银浆印在硅片上做成栅线,经过烧结,同时制成背电极,并在有栅线的面涂覆减反射源,以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉,至此,单晶硅太阳电池的单体片就制成了。单体片经过抽查检验,即可按所需要的规格组装成太阳电池组件(太阳电池板),用串联和并联的方法构成一定的输出电压和电流,后用框架和封装材料进行封装。用户根据系统设计,可将太阳电池组件组成各种大小不同的太阳电池方阵,亦称太阳电池阵列。目前单晶硅太阳电池的光电转换效率为 15% 左右,实验室成果也有 20% 以上的。用于宇宙空间站的还有--- 50% 以上的太阳能电池板。
振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,el,---测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,---偿还,返工,光伏模块回收等。
1. 通过测试数据监控生产电池片的效率及暗电流等参数是否正常。
2. 对生产的电池片进行分档,将相同电性能的电池片分在一起以便做成组件。
标准测试条件
1. 光源辐照度: 1000w/m2 。
2. 测试温度: 25℃ 。
3.am1.5地面太阳光谱辐照度分布。
测试参数
1. 开路电压
在一定的温度和辐照度条件下,太阳电池在空载情况下的端电压,用 v oc 表示, pn 结开路,即 i=0 ,此时 pn 结两端的电压即为开路电压。将i=0 代入伏安特性方程得:
ktln(i l /i s +1)/q 。太阳电池的开路电压与电池面积大小无关。太阳电池的开路电压与入射光谱辐照度的对数成正比。
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3、界定
3.1钝性豁口豁口样子展现为沿边沿轻缓衔接,并不是向管理中心深层次的情况。
3.2v形豁口豁口样子展现为向管理中心锐利深层次的样子,相近英文字母“v”。
4、规定
4.1设计方案和构造4.1.1pcb原材料充电电池的pcb原材料就是指单晶硅片或多晶硅片,应合乎有关标准的要求。
4.1.2电级
4.1.2.1电级图型详细电级图型规格及样子应产成品详尽标准中要求。4.1.2.2电级应无掉色状况(如---橡胶造成的掉色)。4.1.2.3电级的导电率应产成品详尽标准中要求。
4.1.2.4电级的可焊性应产成品详尽标准中要求。
4.1.3铝背场4.1.3.1选用铝背场总体设计的充电电池,因为反面铝膜造成的充电电池弯折形变应产成品的详尽标准中要求。
4.1.3.2反面铝膜与pcb原材料的粘附抗压强度应产成品的详尽标准中要求。
4.1.3.3反面铝膜的突起高宽比应产成品详尽标准要求。铝膜图型详细,图型偏移应产成品详尽标准中要求。
4.1.3.4反面铝膜的导电率应产成品详尽标准中要求。
4.1.4减反射膜选用减反射膜设计方案构造的充电电池,减反射膜与pcb原材料的粘附抗压强度选用5.1.4要求的方式 开展检验后,减反射膜不掉下来。
4.1.5规格表1和表2要求了典型性充电电池的规格规定,别的充电电池的规格规格型号规定应产成品详尽标准中要求。
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关键词: 硅片回收/回收硅片 - 电池片回收电池片 - 多晶硅/单晶硅 - 太阳能电池板 - 光伏组件回收