振鑫焱光伏科技-鄂州路灯拆卸发电板

光刻

    采用双层掩模法，即在氧化硅表面蒸发上一层铬、金，厚度分别为 50 nm 、 80 nm。因为铬、金腐蚀时间较短，光刻胶的抗腐蚀性已足够。根据相关技术规范，分布式电源装机容量可根据并网电源等级进行初步选择，参考标准为：220伏(单相表)可接入8千瓦及以下的，380伏(三相表，容量超过50千瓦需加装互感器)可接入8千瓦~400千瓦的。这样，用光刻胶作掩模先腐蚀铬、金再用铬、 金作掩模腐蚀 sio2。 sio2 腐蚀液配为 hf： nh4f： h20=1： 2： 3， 腐蚀时间约 10 min 。这种双层掩模光刻法腐蚀出的 sio2 层图形边缘平整、无锯齿。后去胶，将 sio2 层残留的铬、金完全腐蚀掉。

硅腐蚀

将已定域腐蚀 sio2 层的硅片放入已配好的硅腐蚀液中，硅腐蚀液的配方为：---醇：水 =1： 2： 2。在 78℃下腐蚀。厂家常年上门收购电池片，采购硅片，光伏组件，太阳能电池板，多晶硅，单晶硅，硅料硅棒硅锭回收看电学指标，主要是少子寿命和电阻率，硅片的等级主要通过这两个指标确定。由于硅的腐蚀存在各向---，经一定的腐蚀时间，大约 80 min 即可得到要求的 v 型槽。 另外， 为防止 v 型槽底部出现 “小岛” ， 在腐蚀过程中，需要一定的搅拌。