光电转换效率
对电信领域中关键有效负荷进行保障的经验使生产商将电信零电压、零电流切换技术移植到有同等严格要求的并网逆变器应用中，而无须在设备寿命或---性方面让步。为了减小磁性器件的体积，更快速的开关mosfet器件被用于替代比较慢的igbt器件，并成为逆变器领域中的关键器件。
对于范围内的太阳能电池光伏产业，具有挑战性的降成本努力关乎到企业的生存。实际上，欧洲的研究已经开始转向无变压器拓扑中的更高开关频率，其目的是通过调整逆变器的体积和重量来减小逆变器的总体体积，进而也降低了维护成本。
然而这项研究使用了实验性质的碳化硅（silicon carbide：sic）技术器件，该器件的---性和硅mosfet器件的电流能力还没有得到证实。但是，应用于通过降低重量和实现低成本面板中的逆变器和业界降低系统成本的努力是一致的。
如今把握当前---受关注的---概念，开发与生产太阳能光伏组件及太阳能光伏系统，并不断开发适合国际、市场需求的系列应用产品，是符合“让太阳发电，地球更清洁，造福人类”的宗旨。而作为数字信号控制器(dsc)在其开发应用上可谓是---并且是多方面的，如绿色能源、数字电源、照明、家用电器、工业控制、车载产品及计量等。基于数字控制器的技术在工业应用中的优势，本文将对dsc技术在太阳能逆变器中的应用作分析说明。既然是在太阳能逆变器中应用，为此应对与太阳能有关的理念先作介绍。
2、与太阳能有关理念
太阳能光伏组件及太阳能光伏系统，其产品生产从单晶硅棒、硅片、电池片到组件，并在系统工程的设计与集成获得了迅速发展并在新能源发电、电力、通信、消防、航空和车船等领域获得广泛应用。
当我们细看高电压(600v)速沟道igbt的开关性能，便会知道这些器件为20khz的开关频率进行了优化。这使设计在相关的频率下能够保持的开关损耗，包括集电极到发射极的饱和电压vce(on)及总开关能量ets。结果，总通态和开关功率损耗便可以维持在低的水平。根据这一点，我们选择了速沟道igbt，例如，irgb4062dpbf作为高侧功率器件。这种速构道igbt与一个速软恢复二极管采用协同封装，进一步---低开关耗损。
此外，这些igbt不用要求短路额定值，因为当逆变器的输出出现短路时，输出电感器l1和l2会---电流di/dt，从而给予控制器足够的时间做出适当的回应。还有，与同样尺寸的非短路额定igbt比较，短路额定igbt提供更高的vce(on)和ets。由于拥有更高的vce(on)和ets，短路额定igbt会带来更高的功率损耗，使功率逆变器的效率降低。
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