回收电池片价格-白山电池片价格-振鑫焱光伏科技

六、镀减反射膜

抛光硅表面的反射率为35%，为了减少表面反射，提高电池的转换效率，需要沉积一层氮化硅减反射膜。现在工业生产中常采用pecvd设备制备减反射膜。pecvd即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体sih4和nh3，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。

硅片是半导体材料的基石，它是先通过拉单晶制作成硅棒，然后切割制作成的。由于硅原子的价电子数为4，序数适中，所以硅元素具有特殊的物理化学性质，可用在化工、光伏、芯片等领域。---是在芯片领域，正式硅元素的半导体特性，使其成为了芯片的基石。在光伏领域，可用于太阳能发电。而且地球的地壳中硅元素占比达到25.8%，开采较为方便，可回收性强，所以价格低廉，进-步增强了硅的应用范围。

2、扩散

扩散是为电池片制造---，是为电池片制造p-n结，pocl3是当前磷扩散用较多的选择。pocl3为液态磷源，液态磷源扩散具有生产效率较高、稳定性好、制得pn结均匀平整及扩散层表面---等优点。

pocl3在大于600℃的条件下分解生成五---（pcl5）和五氧化二磷（p2o5），pcl5对硅片表面有腐蚀作用，当有氧气o2存在时，pcl5会分解成p2o5且释放出---，所以扩散通氮气的同时通入一定流量的氧气。p2o5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅和磷原子，生成的p2o5淀积在硅片表面与硅继续反应生成sio2和磷原子，并在硅片表面形成磷-硅玻璃（psg），磷原子向硅中扩散，制得n型半导体。