隐裂、热斑、pid效应,是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。
4. 形成“隐裂”的原因
外力:电池片在焊接、层压、装框或搬运、安装、施工等过程中会受外力,当参数设置不当、设备故障或操作不当时会造成隐裂。
高温:电池片在低温下没有经过预热,然后在短时间内突然受到高温后出现膨胀会造成隐裂现象,如焊接温度过高、层压温度等参数设置不合理。
原材料:原材料的缺陷也是导致隐裂的主要因素之一。
隐裂、热斑、pid效应,是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。
3. 识别“隐裂”的方法
el(electroluminescence,电致发光)是一种太阳能电池或组件的内部缺陷检测设备,是简单有效的检测隐裂的方法。利用晶体硅的电致发光原理,通过高分辨率的红外相机拍摄组件的近红外图像,获取并判定组件的缺陷。具有灵敏度高、检测速度快、结果直观形象等优点。下图即是el的检测结果,清晰的显示了各种缺陷和隐裂。
3、刻蚀
在扩散工序,采用背靠背的单面扩散方式,硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射,p-n结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到p-n结的背面,造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净,避免了p-n结短路并且造成并联电阻降低。
湿法刻蚀工艺流程:上片***蚀刻槽(h2so4hno3hf)***水洗***碱槽(koh)***水洗***hf槽***水洗***下片
hno3反应氧化生成sio2,hf去除sio2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面,使电池片变得光滑;碱槽的主要溶液为koh;h2so4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来,并不参与反应。
干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时,一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强,选择合适的气体,就可以让硅片更快速的进行反应,实现刻蚀;另一方面,可利用电场对等离子体进行引导和加速,使等离子体具有一定能量,当轰击硅片的表面时,硅片材料的原子击出,可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。
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