多晶硅生产流程
（1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅， 其化学反应sio2+c***si+co2↑
（2）为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水---（hcl）与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的（sihcl3）。 其化学反应si+hcl***sihcl3+h2↑ 反应温度为300度，该反应是放热的。同时形成气态混合物（н2，нс1，siнс13，sic14，si）。
（3）第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解：过滤硅粉，冷凝siнс13，sic14，而气态н2，нс1返回到反应中或排放到---中。然后分解冷凝物siнс13，sic14，净化（多级精馏）。
（4）净化后的采用高温还原工艺，以高纯的sihcl3在h2气氛中还原沉积而生成多晶硅。 其化学反应sihcl3+h2***si+hcl。
多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，长度1.5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。 这样大约三分之一的发生反应，并生成多晶硅。剩余部分同н2，нс1，siнс13，sic14从反应容器中分离。这些混合物进行低温分离，或再利用，或返回到整个反应中。气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的，从某种程度上决定了多晶硅的成本和该工艺的竞争力。
车载逆变器产品的主要元器件参数及代换
irfz48n为to-220形式封装的n沟道增强型mos快速功率开关管。其引脚电极排序1为栅极g、2为漏极d、3为源极s。irfz48n的主要参数指标为：vdss=55v，id=66a，ptot=140w，tj=175℃，rds(on)≤16mω 。
当irfz48n损坏无法买到时，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的n沟道增强型mos开关管irf3205进行代换。irf3205的主要参数为vdss=55v，id=110a，rds(on)≤8mω。其市场售价仅为每只3元左右。
irf740a为to-220形式封装的n沟道增强型mos快速功率开关管。其引脚电极排序1为栅极g、2为漏极d、3为源极s。
irf740a的主要参数指标为：vdss=400v ，id=10a，ptot=120w ，rds(on)≤550mω。
当irf740a损坏无法买到时，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的n 沟道增强型mos 开关管irf740b、irf740或irf730进行代换。irf740、irf740b的主要参数与irf740a完全相同。irf730的主要参数为vdss=400v，id=5.5a，rds(on)≤1ω。其中irf730的参数虽然与irf740系列的相比略差，但对于150w以下功率的逆变器来说，其参数指标已经是绰绰有余了。
车载逆变器电路工作原理
图1电路中，由芯片ic1及其---电路、三极管vt1、vt3、mos功率管vt2、vt4以及变压器t1组成12v直流变换为220v/50khz交流的逆变电路。由芯片ic2及其---电路、三极管vt5、vt8、mos功率管vt6、vt7、vt9、vt10以及220v/50khz整流、滤波电路vd5－vd8、c12等共同组成220v/50khz高频交流电变换为220v/50hz工频交流电的转换电路，通过xac插座输出220v/50hz交流电供各种便携式电器使用。
tl494芯片内置有5v基准源，稳压精度为5 v±5％ ，废旧太阳能组件回收价格，负载能力为10ma，并通过其14脚进行输出供外部电路使用。tl494芯片还内置2只npn功率输出管，可提供500ma的驱动能力。
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