自贡电池片-振鑫焱硅业-回收电池片多少钱

3、刻蚀

在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，p-n结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到p-n结的背面，回收客退实验电池片多少钱，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了p-n结短路并且造成并联电阻降低。

湿法刻蚀工艺流程：上片***蚀刻槽（h2so4hno3hf）***水洗***碱槽（koh）***水洗***hf槽***水洗***下片

hno3反应氧化生成sio2，hf去除sio2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为koh；h2so4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，回收电池片多少钱，并不参与反应。

干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，自贡电池片，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。

多晶硅生产的原料是---氢硅和氢气，按照一定的比例计入还原炉内进行热分解和还原反应产生多晶硅棒。

---氢硅是用---和工业硅粉在合成炉内反应生成，---是用氢气和---在---合成炉内燃烧生成，---是---工业盐水通过通电反应生成，氢气即可以用---工业盐水通过通电反应生成。也可以用水通电电解生产。工业硅粉是用石英矿与碳在通电的情况下还原反应生成工业硅块，经粉碎变成工业硅粉。