硅片清洁分类
2.化学清洗
化学清洗是为了除去原子、离子不可见的污染，方法较多，有溶剂萃取、酸洗（---、---、王水、各种混合酸等）和等离子体法等。其中双氧水体系清洗方法效果好，环境污染小。一般方法是将硅片先用成分比为h2so4:h2o2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的强氧化性，将有机物分解而除去；用超纯水冲洗后，再用成分比为h2o:h2o2:nh4oh=5:2：1或5:1：1或7:2：1的碱性清洗液清洗，由于h2o2的氧化作用和nh4oh的络合作用，许---属离子形成稳定的可溶性络合物而溶于水；然后使用成分比为h2o:h2o2:hcl=7:2：1或5:2：1的酸性清洗液，由于h2o2的氧化作用和---的溶解，以及氯离子的络合性，许---属生成溶于水的络离子，从而达到清洗的目的。
示踪原子分析和质谱分析表明，采用双氧水体系清洗硅片效果好，同时所用的全部化学试剂h2o2、nh4oh、hcl能够完全挥发掉。用h2so4和h2o2清洗硅片时，在硅片表面会留下约2×1010原子每平方厘米的硫原子，用后一种酸性清洗液时可以完全被清除。用h2o2体系清洗硅片无残留物，有害性小，也有利于工人健康和环境保护。硅片清洗中用各步清洗液处理后，都要用超纯水冲洗。
2．电解盐水腐蚀法
(1)取一只容量合适的耐腐蚀容器，加入一汤匙和适量的水，以能够完全淹没需腐蚀的敷铜板为准。
(2)在敷铜板上的铜箔部分任意处焊上一截20cm左右长度的焊锡丝作为电解的正电极引线(因为铜导线作电极引线会被腐蚀掉)。如果敷铜板上的铜箔被线路分割为若---分，则应从每个铜箔部分焊出一条焊锡丝，再将这些焊锡丝连接在一起作为正电极引线。
(3)取一2cm×3cm左右的铜片作为电解的负极板，并焊上一截导线作为负电极引线。
(4)将敷铜板和负极板放入盐水中，注意敷铜板和负极板不能相碰。正、负电极引线接至可调直流电源，如下图所示。从低到高逐渐调高电源电压，当负极板上有水泡产生，敷铜板铜箔部分有黄绿色絮状物(氧化铜)产生，表示电解腐蚀已经开始。
(5)电解腐蚀完毕，及时取出敷铜板并冲洗干净即可。
硅片厚度也是影响生产力的一个因素，因为它关系到每个硅块所生产出的硅片数量。超薄的硅片给线锯技术提出了额外的挑战，因为其生产过程要困难得多。除了硅片的机械脆性以外，如果线锯工艺没有精密控制，细微的裂纹和弯曲都会对产品良率产生影响。超薄硅片线锯系统必须可以对工艺线性、切割线速度和压力、以及切割冷却液进行精密控制。
无论硅片的厚薄，晶体硅光伏电池制造商都对硅片的提出了---的要求。硅片不能有表面损伤（细微裂纹、线锯印记），形貌缺陷（弯曲、凹凸、厚薄不均）要化，对额外后端处理如抛光等的要求也要降到。
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