逆变器是为500w的输出而设计,测量所得的交流输出功率是480.1w,功率损耗则是14.4w。在60hz的频率下,交流输出电压有117.8v,输出电流是4.074a。这个配置获得97.09%的效率。利用相似的配置,将逆变器改为针对200w输出,然后再重新测量转换效率。结果显示,在这个负载下,交流功率为214w,功率耗损有6.0w,而在1.721a的输出电流下,60hz输出电压为124.6v。在这个功率额定值下,所得的转换效率为97.28%。即使在较低一端的输出功率(100w),我们也看到相似的效率性能。
简单来说,通过把适当的高电压驱动器与优化了的低侧和高侧高电压igbt结合,我们在这里提到的太阳能逆变器设计,能够在100~500w的功率输出范围内持续提供高转换效率性能。由于转换效率非常高,所以有关的低功率损耗并不会带来任何温度管理挑战。因此,在高500w的输出功率下,高侧igbt (irgb4062dpbf) 的结温大约80℃,比高的特定结温175℃要低于一半。同样地,在一样的功率水平下,低侧igbt (irg4bc20sd-pbf)显示83℃的结温。同时,当输出功率达到200w左右,温度还会变得---。
用于升压级的开关和二极管
图1所示的所有拓扑都需要快速转换的功率开关。升压级和全桥变换级需要快速转换二极管。此外,专门为低频 (100hz) 转换而优化的开关对这些拓扑也很有用处。对于任何特定的硅技术,针对快速转换优化的开关比针对低频转换应用优化的开关具有更高的导通损耗。
升压级一般设计为连续电流模式转换器。根据逆变器所采用的阵列中太阳能模块的数量,来选择使用600v还是1200v的器件。功率开关的两个选择是mosfet和 igbt。一般而言,mosfet比igbt可以工作在更高的开关频率下。此外,还必须始终考虑体二极管的影响:在升压级的情况下并没有什么问题,因为正常工作模式二极管不导通。mosfet的导通损耗可根据导通阻抗rds(on)来计算,对于给定的mosfet系列,这与有效裸片面积成比例关系。当额定电压从600v 变化到1200v时,mosfet的传导损耗会---增加,因此,即使额定rds(on) 相当,回收电站返修电池片硅片多少钱,1200v的 mosfet也不可用或是价格太高。
随着并网逆变器生产企业对防孤岛试验检测装置的大量需求,市场上已出现一些不法商贩,将交流电源老化用的rlc负载,当作精密rlc负载销售,以次充好---暴利。 主要表现为:所销售的是三无产品---无---、无计量检测报告、无的老化负载,这些公司一定会要求客户先付款再发货,产品无法通过金太阳标准验收时,主动权已经不在用户手上了。
根据光伏并网逆变器金太阳新标准cnca/cts 0004-2009a规定,要求出厂试验检测项目(包括防孤岛效应保护试验等共11个项目),都必须配备相应检测设备,否则无法获得金太阳。
2012年2月,、科技部及---联合发布了<关于做好2012年金太阳工作的通知>。根据通知要求,对金太阳工程所采用的光伏逆变器的生产企业---要求作出明确规定:“附件1---金太阳工程关键设备基本要求(2012年)(二)生产企业---要求:1、在------注册的独立法人,注册资本金在3000万元以上。2、具有三年以上独立生产、供应和售后服务的能力,2011年实际发货量不低于50mwp(以海关报关单或销售为准)。3、配备直流源、功率分析仪、示波器、电能分析仪、绝缘耐压测试仪、残余电流测试仪、漏电流测试仪、精密rlc可调负载等出厂检验设备”。
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