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用于升压级的开关和二极管

在旧有npt平面技术?的基础上开发了一种可以提高高开关频率的升压电路效率的器件fgl40n120and，具有43uj/a的eoff? ，比较采用更---技术器件的eoff为80uj/a，但要获得这种性能却非常困难。fgl40n120and器件的缺点在于饱和压降vce(sat) (3.0v 相对于125oc的 2.1v) 较高，不过它在高升压开关频率下开关损耗很低的优点已---弥补这一切。该器件还集成了反并联二极管。在正常升压工作下，该二极管不会导通。然而，延安电池片硅片价格，在启动期间或瞬变情况下，回收电池片硅片价格，升压电路有可能被驱使进入工作模式，这时该反并联二极管就会导通。由于igbt本身没有固有的体二极管，故需要这种共封装的二极管来------的工作。对升压二极管，需要stealth? 或碳硅二极管这样的快速恢复二极管。碳硅二极管具有很低的正向电压和损耗。不过目前它们的价格都---昂。在选择升压二极管时，必须考虑到反向恢复电流 (或碳硅二极管的结电容) 对升压开关的影响，因为这会导致额外的损耗。在这里，新推出的stealth ii 二极管 ffp08s60s可以提供更高的性能。当vdd=390v、 id=8a、di/dt=200a/us，且外壳温度为100oc时，计算得出的开关损耗低于ffp08s60s的参数205mj。而采用isl9r860p2 stealth 二极管，这个值则达225mj。故此举也提高了逆变器在高开关频率下的效率。

　用于桥接和开关和二极管

mosfet全桥滤波之后，输出桥产生一个50hz的正弦电压及电流信号。一种常见的实现方案是采用标准全桥结构 (图2)。图中若左上方和右下方的开关导通，则在左右终端之间加载一个正电压;右上方和左下方的开关导通，则在左右终端之间加载一个负电压。对于这种应用，在某一时段只有一个开关导通。一个开关可被切换到pwm高频下，另一开关则在50hz低频下。由于自举电路依赖于低端器件的转换，故低端器件被切换到pwm高频下，而器件被切换到50hz低频下。这应用采用了600v的功率开关，故600v超结mosfet非常适合这个高速的开关器件。由于这些开关器件在开关导通时会承受其它器件的全部反向恢复电流，因此快速恢复超结器件如600v fch47n60f是十分理想的选择。它的rds(on) 为73毫欧，相比其它同类的快速恢复器件其导通损耗很低。当这种器件在50hz下进行转换时，无需使用快速恢复特性。这些器件具有---的dv/dt和di/dt特性，比较标准超结mosfet可提高系统的---性。